以下是钨飞镖初学者易犯的11条错误：

1.投掷前未调整好心态，未投入到比赛中去，应沉着、冷静。

2.自己受到环境的影响，并且表现出受到了影响

3.不懂得通过深呼吸来缓解紧张的情绪。

4.急于投镖未意识到打一轮出色的镖，第一镖是很重要的；或是第一镖进行了认真的准备，后两镖未能保持精神集中，投得比较随意，检查飞镖设备情况。

5.不关注自己分数的进展情况，导致所剩的分数不好。如某一镖不中，会留下一个自己不擅长的双倍区。

6.过分关注对手的分数，分散自己的注意力或增加自己的压力。

7.在两轮投不中的一个双倍区后仍不知道进行调整。

8.不懂得利用相邻的两个偶数分区或奇数分区。

9.不重视热身或不懂得如何热身和做准备。

10.惧怕或不能适应紧张激烈的比赛。

11.关键时刻产生消极的想法或不良的心理暗示，要学会控制和抑制消极想法，它只会带来失败。

飞镖比赛同许多体育项目一样，胜负往往取决于哪一方少犯或晚犯错误。

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在国外，酒吧是钨飞镖爱好者聚会、练习和比赛的场所。为了营造一个良好的气氛，吸引钨飞镖爱好者的光顾，

钨飞镖相关设施的配备也让酒吧和俱乐部老板动了不少的心思。有些已成为比赛中必不可少的设施。

记分板

记分板是进行飞镖练习和比赛的一个必不可少的设施，用来记录选手每一轮的成绩和比赛分数变化过程。记分板通常就是一个小黑板加上几支粉笔。记分板一般放在镖盘的左侧，与镖盘保持一定距离，选手在比赛时也很容易看到，同时记分员记分也不至于影响选手的比赛。不过，在一些大型比赛中，也开始采用比较精致的记录板和可涂改的笔，甚至是印刷好的记分牌。

比赛用的地毯

比赛中一般在地面上从投掷线到镖盘之间铺一块专用地毯，既表示标准投掷距离，也可以保护地板不被脱落的飞镖毁坏。地毯的长度就是标准的投掷距离，选手们投镖时不能踩上或越过地毯。由于不同的比赛投掷距离存在差异，地毯的长度和宽度也不尽相同。在美国一般为3.05米长，0.91米宽，英国其宽度一般为0.61米。

灯光

合适的照明不仅能营造出热闹、温馨的气氛，而且有利于选手水平的发挥。据说在西方国家能源危机时期，由于电的使用受到限制，钨飞镖爱好者也大为减少。合适的灯泡既让选手清晰地看到镖盘的每一个部分，同时又不晃眼。赛场周围的光线要暗一些，制造出朦胧的感觉。

其他一些用具，如钨飞镖专用磨刀石，装飞镖用的飞镖袋等，如果钨飞镖爱好者也能装备上，那会更加专业。

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原料：板状晶粒碳化钨，银粉和添加剂（Co、Ni和Zr）
制备方法：化学包覆工艺和烧结复压工艺

实验结论：经检验，制备所得的AgWC12C3触点的板状WC晶粒具有明显的定向排布特征。添加剂（Co粉、Ni粉和Zr粉）的加入，明显提高了Ag、WC、C的界面结合强度和成分之间的浸润性，提高了材料的烧结和机械性能。AgWC12C3触点（银基触点材料）的硬度、致密性和导电性等均有明显改善，比传统粉末冶金法制备的AgWC12C3触点（球形碳化钨）要好得多。

经测试，“研究添加剂（Co、Ni和Zr）对Ag-WC-C触点的影响实验步骤”制得的AgWC12C3触点，其平均相对密度高达99.6％，硬度平均值HB＝70.6kg/Mm2，电阻率平均值Ρ＝2.84μΩ·cm；此外，该方法制得的AgWC12C3触点，其平行于碳化钨长板状晶粒方向的电阻率低于垂直于长板状晶粒方向的电阻率。如将平行于碳化钨长板状晶粒方向作为电触头的工作面，触点电导率高，耐电弧腐蚀，使用寿命长。而采用球形碳化钨机械混粉所制得的AgWC12C3触点，其相对密度仅为95.9-98.9％，硬度HB＝56.1-60.2kg/Mm2，电阻率Ρ＝3.18-3.40μΩ·cm。



 

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实验材料：
（1）银粉，51g
（2）板状WC粉，7.2g，平均长度：2-5um，长厚比：3-5
（3）石墨粉，1.44g，平均粒度：2～50μm，密度：2.2～2.3g/cm³

实验步骤：
样品1
1. 分别称取以上材料，并过筛（100目的不锈钢网筛），然后将WC粉、石墨粉加到搅拌器内，混合并搅拌均匀，得到混料；
2. 配制硝酸银溶液（将银粉充分溶解在浓硝酸中即可获得）；
3. 将硝酸银溶液加入到反应器皿中，用氨水将其络合至PH=10；再将混料加入到反应器皿中并搅拌，得到复合粉；
4.保持搅拌，并将还原剂水合肼通过雾化装置以液相喷雾方式加入到反应器皿中，待其反应充分；

5.用蒸馏水清洗复合粉至中性后，对其进行干燥处理（于干燥器中，90℃温度下），得到干燥的银包覆的（板状晶粒碳化钨、石墨）复合粉；
6.将包覆复合粉进行初次冷压，然后在H2氛围下，烧结3小时（于烧结炉中，840℃温度下），最后在15T/Cm2的压力下进行复压，制得AgWC12C3触点。

样品2
制备步骤与样品1基本相同，不同的是：
银粉，49.7g；添加剂Co粉，0.3克；
烧结4.5小时（于烧结炉中，840℃温度下），最后在13.5T/Cm2的压力下复压。

样品3
制备步骤与样品1基本相同，不同的是：
银粉，49.7g；添加剂Ni粉，0.3克；
烧结4.5小时（于烧结炉中，800℃温度下），最后在16.5T/Cm2的压力下复压。

样品3
制备步骤与样品1基本相同，不同的是：
银粉，49.7g；添加剂Zr粉，0.3克；
烧结5小时（于烧结炉中，750℃温度下），最后在14T/Cm2的压力下复压。

 

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Ag-WC-C触点的制备需要用到碳化钨粉作为其原材料，以下是关于碳化钨粉的部分相关知识。
表示W-C（碳化钨）非化学计量成份的是立方WC1-X；
表示W-C化学计量成份的有：六方WC，六方W2C。在室温条件下，六方WC是唯一稳定的。

六方WC的晶胞结构是交错三角棱状，为非中心对称的结构，该结构的存在导致了其微观硬度的高度各向异性，其晶格常数a＝2.916×10-10m（六方,a=b），c＝2.844×10-10m。现如今，碳化钨的主要运用是用来制造高质量的硬质合金，也可以用来触点材料、金属涂覆和金属陶瓷等领域。
晶格常数（lattice constant），也称晶格参数，指的是晶胞的边长，与原子间的结合能有直接的联系，是晶体结构的一个重要的基本参数，其变化可以反映晶体内部成分和受力状况等的变化。

有研究表明，碳化钨的机械性能不仅与其成分和烧结工艺有关，而且与其显微晶相结构也密切相关。目前，制取碳化钨粉末方法主要有：
（1）先制备钨粉，然后加炭碳化，获得碳化钨粉；
（2）直接从含钨化合物中进行碳化制取碳化钨粉。
但是，以上两种方法存在共同的缺点是，都需很高的碳化温度(1300～2000℃)，制备工艺复杂，成本较高，且一般情况下制得的碳化钨是类球状。采用这种碳化钨粉来制备板状强化碳化钨粉，需要经过特殊的烧结工艺才能使WC晶粒长大成板状，而其定向效果并不理想。

 

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以下为稀土三掺钨酸钙Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺多晶上转换发光测试中稀土离子浓度对发光强度的影响。

由表3可知，随着稀土离子浓度的变化，蓝、绿、红三色光上转换发光强度变化显著。对表3所得数据进一步分析处理，分析结果如表4所示。 

根据无相互作用正交实验数据分析结果，表中极差R表示单因素的改变对相应发光强度的影响程度，R值越大，表示影响程度越大。由表5-4可以看出，A因素（Tm³⁺离子）对上转换蓝光发射强度影响最大，其次为B因素（Ho³⁺离子）及C因素（Yb³⁺离子），这是由于上转换蓝光主要是由Tm³⁺离子的1G4→3H6能级跃迁产生的，而Ho³⁺离子的掺杂阻碍了Yb³⁺离子对Tm³⁺离子的敏化作用，因此也能对发光强度造成较大的影响；B因素（Ho³⁺离子）对上转换绿光发光强度影响最大，因为上转换绿光是由Ho³⁺离子的⁵S₂,⁵F₄→⁵I₈能级跃迁产生的，Tm³⁺离子虽然不参与上转换绿光的发射，但其阻碍了Yb³⁺离子对Ho³⁺离子的敏化作用，因此也对绿光发射有一定的影响；影响红光发光强度的显著因素是A因素（Tm³⁺离子）和C因素（Yb³⁺离子），说明Ho³⁺离子的⁵F₅→⁵I₈和 Tm³⁺离子的¹G₄→³F₄能级跃迁共同导致了上转换红光的发射，但Tm³⁺离子的浓度变化对红光发光强度影响较大，Ho³⁺离子浓度的改变对红光发光强度几乎没有影响，Yb³⁺离子作为敏化剂为Ho³⁺离子和Tm³⁺离子传递能量。

随后我们对发光数据进一步分析处理，得到Ho³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺三种离子浓度的改变对三色光发光强度的影响，分析结果如图4所示。

由图4可知，随着Tm³⁺离子浓度的增大，上转换蓝绿红光发光强度均减弱；Ho³⁺离子浓度的增加使上转换蓝光和红光发光强度减弱，上转换绿光发光强度先增大后减小；相比之下，Yb³⁺离子浓度的改变对蓝绿红三色光发光强度影响很小。因此，适当降低Tm³⁺离子浓度有利于上转换三色光强度的增加；减小Ho³⁺离子浓度能使上转换绿光强度降低，红光和蓝光强度增加，有利于调节蓝绿红三色光比例，此结果为上转换白光的输出提供了依据。 

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以下为稀土三掺钨酸钙Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺多晶上转换发光测试中稀土离子浓度对发光强度的影响。

利用高温固相反应法合成了正交体系中1#~9#样品，然后进行上转换发光测试，所得谱图如图1、2、3所示。

由图1、2、3可知，Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺多晶分别在475nm、549nm和650/659nm处出现蓝光、绿光和红光发射峰，随着稀土离子浓度的改变发射峰强度随之变化。根据第四章对稀土离子双掺Zn_0.1Ca_0.9WO₄多晶的分析可知，蓝光发射峰是由Tm³⁺离子的¹G₄→³H₆能级跃迁产生的；绿光发生峰是由Ho³⁺离子的⁵S₂,⁵F₄→⁵I₈能级跃迁产生的；650nm处红光发生峰是由Tm³⁺离子的¹G₄→³F₄能级跃迁产生的，而659nm处红光发生峰是由Ho³⁺离子⁵F₅→⁵I₈能级跃迁产生的。

分别对编号1#~9#的Zn_0.1Ca_0.9WO₄：Ho³⁺/Tm³⁺/Yb³⁺样品谱图峰面积进行积分，得到上转换蓝光、绿光和红光的荧光强度如表3所示。

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由于钨合金材料的高密度，高辐射屏蔽性及环保无毒性，其可被制造成钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件。 钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件是一个快装结构，插入件的底部接触面为滚动支撑接触面，钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件通过一限位导向结构固定安装在穿墙管中。穿墙管的底面上固定安装一基座，滚动支撑接触面设置在基座的上表面；限位导向结构包括一自定位零件，一设置在基座上表面前端的限位导向桩，以及一设置在基座上表面后端的定位导向槽，限位导向桩与定位导向槽的中心连线与插入件所导向的束线传输方向一致；插入件底部设有与一限位导向桩匹配的导向槽，插入件底部后端与定位导向槽对应位置设有一定位槽，定位槽与定位导向槽构成的槽结构与自定位零件匹配。钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件与屏蔽体间隙小、安装快、定位准确，方便后续重复拆装。

下图为制造防辐射屏蔽穿墙管插入件的钨合金材料：

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现今很多国家已限制在核医疗器械上使用铅材料作为辐射屏蔽件，钨聚合物作为一种新兴的辐射屏蔽材料被制造出来，它能够很好地替代铅屏蔽材料被应用到放射医疗的各个方面。钨聚合物材料是新兴的环保无毒材料且可重复利用，钨聚合物作为屏蔽件使用能够避免政府法律对禁止有毒材料应用于医疗仪器的限制，能够很好地替代传统屏蔽材料铅。由于钨聚合物是由注塑成型，钨聚合材料具有很好的机加工性能，其可被加工成各种不同的形状，能够制造成各种组件，适应不同的需求。钨聚合物相对于其 他的铅屏蔽替代材料更加地耐用，并具有高密度性，有更好的辐射屏蔽吸收能力。由于钨聚合物屏蔽件是由注塑成型，可注塑成一般金属无法制造的部件，其在放射医疗设备上有更广泛的应用，钨聚合物屏蔽件可被应用于以下医疗设备中：
医疗准直器
核磁共振仪
放射源注射器
医疗电子直线加速器
医疗多页光栅
计算机X线断层摄影机（CT机)
X线治疗机
伽马刀

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钨硼酸镉是一种灰白色的重质结晶，易溶于水，溶液为黄色或淡紫色，且在日光下会分解，它的分子式是Cd₅(BW_l2O₄₀)·18H₂O。它可以通过由三氧化钨、氧化镉和硼砂进行热反应制取。
以下介绍的是用萃取法制取钨硼酸镉的生产流程：
1.取396g的Na₂WO₄H₂O溶解于300ml的水中，加入HCl搅拌，并加热至85℃，保温1-2小时，PH保持在3左右。然后加入18.2g的H₃BO₃保持在85℃长达30分钟，再加入酸把PH值调到2，在85℃下保持3-4小时，冷却后过滤，滤液中含12-硼钨酸钠。
2.将此溶液浓缩后，放入分液漏斗中，加入乙醚萃取，同时分三次加入加入2-3倍体积的33%H₂SO₄，振荡五分钟后静置分层，得出重油状的第三相。将底部的第三相分出，加入小量的水，除去Et₂O，得到钨硼酸水溶液。
3.加入过量的CdO到钨硼酸溶液中，然后过滤后得到棕黄色溶液，浓缩后冷却结晶，得到灰白色钨硼酸镉。

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