Yb3+浓度对稀土掺杂钨酸钙多晶吸收光谱的影响
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月21日 星期二 14:22
- 作者：xinyi
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以下为Yb3+浓度对Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶吸收光谱的影响。
固定Tm3+离子浓度为2mol%，掺杂不同Yb3+浓度的Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶紫外-可见吸收光谱如图3所示。
Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶的紫外-可见吸收光谱扫描范围为200~850nm。从图中可以看出，Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶在690nm和795nm处有明显的吸收峰，这是Tm3+离子不同能级之间的电子跃迁产生的，分别对应Tm3+离子的3H6→3F2，3和3H6→3H4能级跃迁。
从图中我们可以看出，Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶在300nm左右紫外吸收峰强度直线下降，可以把此处作为紫外吸收边。随着Yb3+离子掺杂浓度的不断提高，Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶的紫外吸收边先红移后蓝移，且蓝移程度较大。这是由于少量Zn2+离子的掺杂并没有改变CaWO4晶体原有的体心四方结构，Zn2+离子只是取代了晶格中Ca2+离子的位置。同样，掺杂Ho3+离子和Yb3+离子占据了Zn2+离子或Ca2+离子的位置，多余的正电荷由Zn2+离子或Ca2+离子的空位缺陷补偿。
同样，由表可以看出，Tm3+、Yb3+离子的极化能力比Zn2+离子和Ca2+离子强。稀土离子的掺杂使Zn0.1Ca0.9WO4多晶中WO42-基团极化度增加，电子云变形性增大，自由电子跃迁所需能量减少，因此自由电子更易发生跃迁产生红移现象；当Yb3+离子浓度过大时，会使Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶内部能量急剧增加，自由电子被束缚在价带很难发生能级跃迁，因此吸收边发生蓝移。
Zn0.1Ca0.9WO4：Ho3+/Yb3+多晶的紫外吸收边先红移后蓝移，当Yb3+离子浓度为5.0mol%时，吸收边红移至最大，此时更易发生自由电子的能级跃迁，有利于上转换发光强度的提高。
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钨面向等离子体材料
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月21日 星期二 14:15
- 作者：wenjing
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受控热核聚变能的利用是公认的有望解决人类未来能源需求的主要途径，材料问题是决定聚变能能否开发成功的关键之一，其中包括“面向等离子体材料” （PFM）。在远离等离子体或边缘等离子体能量不高的情况下一般使用钨作为面向等离子体材料。钨材料是在核聚变反应装置中直接面对等离子体的第一壁、偏滤器及限制器的装甲材料。钨面向等离子体材料的主要功能是：有效控制进入等离子体的杂质；有效移走辐射到材料表面的热；保护非正常停堆时其它部件免受等离子体轰击而损坏。钨面向等离子体材料关系到等离子体的稳定性及第一壁结构材料和元件的安全。
在聚变反应过程中，钨面向等离子体材料受到高热流等离子体的强烈辐照，同时也受到逃逸出来的各种粒子的轰击，处于极其恶劣的工作条件下；尤其在发生等离子体破裂和垂直位移事件时，这种辐照和冲击更为严重。这就要求钨面向等离子体材料在以下几方面都应具有良好的性能：首先，PFM要有良好的导热性、抗热冲击性能和高熔点；其次，PFM应有低的溅射产额，即由物理溅射、化学溅射和辐照增强升华所产生的杂质的数量要低；第三，氢(氘、氚)再循环作用低，即氢(氘、氚)应具有较低 的吸放气性；第四，PFM应当是低活性材料。
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报废银钨触点钨的回收
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- 发布于 2015年7月20日 星期一 16:48
- 作者：Yahong
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报废银钨触点银的回收工艺为：“一次分银---焙烧---二次分银”。
报废银钨触点钨的回收：
往二次分银后的滤渣中加入氨水（NH3·H2O），以溶解氧化钨（WO3），发生的溶解反应的化学式如下：
WO3+2 NH3·H2O=(NH4)2WO3+H2O
然后，先过滤，再将滤渣返回氨浸流程，将所得到的滤液经过蒸发、结晶和干燥可以的到白色晶体，白色晶体为仲钨酸铵。此过程：钨酸铵→仲钨酸铵。化学反应式如下：
12(NH4)2WO3→(NH4)O2WO3↓+14NH3↑+7H2O
然后，再将所得到的仲钨酸铵放置于马弗炉中，在温度为700℃的条件下，焙烧1小时，可以得到黄色的三氧化钨粉末，三氧化钨中钨的含量可以利用能谱分析仪（EDS）来分析。
能谱分析仪(EDS - Energy Dispersive Spectrometer)可以用来分析材料的微区成分元素种类和含量，需要配合透射电子显微镜和扫描电子显微镜来使用。
为了节省废弃处理费用，可以将氨浸、蒸发和煅烧过程中的氨气转入酸性废弃处理系统中。
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钨的屏蔽β辐射的半值层计算
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月21日 星期二 14:12
- 作者：wenjing
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在处于辐射的路径上，使辐射水平减弱到它最初始值的一半所需要的屏蔽材料的厚度称为半值层厚度(Half-value Thickness HVL)，也被称为半值层。该法可作为一种估计合适屏蔽厚度的有效手段，由半值层厚度法求所需屏蔽材料的厚度或已知屏蔽层厚度估计屏蔽效果比较方便。 n个半值层厚度可使辐射强度减至1/2n。
下表列出不同能量的β辐射在铝中的半值层△1/2。
β辐射在钨中的半值层可通过下式换算近似得到：
△1/2W=0.482△1/2Al×A/Z
式中，
A,Z--钨的原子量及原子序数；
△1/2Al--在铝中的半值层值；
△1/2W--在钨中的半值层值。
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钨铜触点（Cu80W/Cu）的触头的制备
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- 发布于 2015年7月20日 星期一 16:45
- 作者：Yahong
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1. 钨铜触点（Cu80W/Cu）原材料的选用
（1）钨粉的选用。选用的是牌号为FW-1标准的钨粉，钨粉的粒度范围：6-8μm。如果钨粉出现氧化现象，则需要在温度为860℃左右和氢气的保护条件下，保温1h，还原被氧化的钨粉。
（2）铜粉的选用。采用的是电解铜的方法获得，需要将其还原，还原气氛为氢气氛围，温度控制在300℃左右，保温时间为1h。
2.触头的制备|
采用的是粉末冶金熔渗烧结工艺制备钨铜触点（Cu80W/Cu）的触头。
工艺流程：混粉（钨粉和铜粉，按比例）→压制成型→烧结熔渗（钨铜坯）→加工挤压。
烧结熔渗条件：需要通入氢气（氢气流量：1m³/h），温度控制在1500℃左右，烧结时间为2h。
加工挤压：将经烧结熔渗所得的钨铜坯进行车加工，然后在其表面均匀地涂上润滑油后，再用四柱液压机进行挤压。
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