電化學沉積法制硒化鎢

硒化鎢(WSe₂)作為過渡金屬硫屬化物的典型代表，其具有類似石墨烯的層狀結構，在電學、化學、力學及熱學性能上均表現出來了獨特並強烈的各向異性，這在超導、電器材料、固體潤滑劑等領域有著廣闊的應用前景。同時，硒化鎢材料作為一種典型的半導體材 料，具有相對其他過渡金屬硫屬化合物更小的帶隙寬度，在光電、催化、電子傳感領域的應用更加廣泛。

目前硒化鎢薄膜的生產方式有多種，主要包括物理法與化學法。現有方法不管是物理法還是化學法均有限制性因素，傳統硒化鎢薄膜製備局限於化學氣相沉積法與溶劑熱合成法中，相對於這兩類傳統方法，有研究人員採用電化學沉積手段製備硒化鎢薄膜，其過程有：

(1)將摻氟二氧化錫導電玻璃(FTO，作為陰極片)用清潔劑清潔3遍，用異丙醇超聲 浸泡15min，然後用乙醇超聲浸泡15min，再用去離子水沖洗3遍，然後用氮氣進行烘乾，得到 表面潔淨的摻氟二氧化錫導電玻璃；

(2)配置含1mol/L氯化鈉、2mmol/L亞硒酸、1mmol/L鎢酸鈉溶液、0.5mol/L檸檬酸 和0.5mol/L乙二胺四乙酸二鈉的混合溶液，用鹽酸調節混合溶液的pH為1，然後用氮氣鼓泡 對混合溶液進行除氧15min；

(3)以步驟(2)所得混合溶液作為電化學沉積液，以步驟(1)所得潔淨的摻氟二氧 化錫導電玻璃作為對電極，以飽和甘汞為參比電極，以鉑片作為工作電極，進行電化學沉 積；選取電化學沉積電壓為-0.6V，在80℃下進行沉積，沉積持續5min，在摻氟二氧化錫導電 玻璃電極上沉積硒化鎢薄膜；

(4)取出沉澱後的薄膜，依次用純水和乙醇進行沖洗，然後在氮氣氣氛下60℃下烘 幹2h，即得硒化鎢薄膜產物。

通過電化學沉積手段，並且在特定的溶液條件下和電化學沉積條件下製備得到了硒化鎢薄膜。製備方法限制因素少、反應速度快、薄膜形貌及厚度可控性強，並且大幅度縮減了硒化鎢薄膜的生產成本，並實現了薄膜形貌及厚度的可控。

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