在大尺寸藍寶石的SAPMAC晶體生長過程的類比分析

SAPMAC （用在冷卻中心微拉和肩部藍寶石生長技術）過程由幾個不同的晶體生長階段的數值類比方法特性研究進行了分析，並與提拉法，溫梯法和坩堝下降法技術相比在類比與不同的晶體生長階段的技術的結果，晶體生長的系統和控制技術進行了改進；常規SAPMAC爐與散熱參數增加了修改，將加熱溫度降低，溫度下降曲線的提高，另外的軸向和徑向溫度梯度調整，所以斷面收縮，肩部延伸，異直徑和拖尾的晶體生長過程中可以controlled.The實驗結果證實，所生長的晶體具有更好的品質和更大的尺寸通過改進的系統晶體生長和控制技術。

這裏呈現的研究的目的在於應用一種感應加熱提拉爐的全局分析的實際藍寶石晶體生長系統和預測系統中的溫度和流場的特徵。要做到這一點，對於在藍寶石生長過程的開始階段，熔體和氣體對流的結合對系統的溫度場輻射傳熱和晶體熔融介面的影響已經數值使用穩態二維有限被研究元素法。對於輻射熱傳遞，通過所生長的晶體和表面對表面輻射的暴露表面的內部輻射已被考慮到。計算結果表明，有一個強大的旋渦出現從熔體和向上流動沿後熱側壁和沿向下的氣體部分種子和晶面強烈的和大旋渦的自然對流。另外，波浪形已經觀察到與朝向熔體偏轉的晶體熔融介面。


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