Ti摻雜氧化鎢薄膜，較之純WO3薄膜，其變色幅度沒有變化，同時著色、褪色回應速度明顯增快，反應儲存的電荷量增多。而且，迴圈多次後，電流衰減變小，迴圈穩定性增加，薄膜迴圈壽命提高。此外，WO3由單斜晶系轉變為立方晶系，同時，Ti4+離子抑制了晶粒生長，結晶程度降低。

為瞭解不同氧氣分壓對Ti摻雜氧化鎢電致變色薄膜結構性能影響，有專家採用下述方法先製備得到摻Ti的WO3薄膜。

鈦摻雜氧化鎢薄膜比純WO3薄膜更有利於發生電致變色反應。專家表示，對比WO3與鈦摻雜氧化鎢薄膜SEM圖像，如下圖，可以看到：

有專家在不同氧氣分壓條件下，採用脈衝直流反應磁控濺射法在FTO透明導電玻璃基底上製備了摻鈦氧化鎢薄膜。他們發現：