從氮化鎵可見鐳射:在藍寶石襯底上銪光學腔
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- 發佈於:2014-01-02, 週四 11:51
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報告可見(紅色)鐳射發射從生長在藍寶石襯底銪摻雜的氮化鎵薄膜。邊緣發射滿足的受激發射特性的要求:超線性特性,頻譜線變窄,偏振效應,壽命降低,並在一個法布裏 - 珀羅腔的縱模。在氮化鎵:Eu的有源層具有低的閾值(〜10 kW/cm2),用於產生鐳射的發作。光學增益和損失是50的順序和20釐米-1,分別。生長條件進行了研究增益增強和減少損失。為了獲得高增益和低損失活性層,富氮生長條件是必需的。通道波導腔導致5×增加的增益值相比,平面波導。
氮化鎵薄膜的分子束外延(MBE)生長在藍寶石,活性氮的兩個來源進行了研究:一個電子迴旋共振(ECR)等離子體,和疊氮化氫(HN3)。與ECR等離子體源,典型的增長率分別為0.1〜微米/小時。以這種方式生長的薄膜表現出從離子顯著表面損傷,並且幾乎沒有光致發光。與HN3,增長率分別為0.25〜微米/小時。疊氮化物生長的薄膜表現出光滑的表面,以及銳利的帶能帶光致發光。這是首次報導利用HN3通過分子束外延生長III-V族氮化物,它顯示了很大的希望作為氮源。
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通過塗布熱解過程的二氧化鈰緩衝藍寶石二維大直徑y Ba2Cu3O7膜
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- 發佈於:2013-12-31, 週二 15:17
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大尺寸二維ý Ba2Cu3O7 ( YBCO )薄膜通過化學溶液為基礎的塗料的熱解(CP)的過程上30× 10平方釐米R面藍寶石襯底上用真空沉積的二氧化鈰緩衝層成功製備。該二氧化鈰層非常光滑和均勻的具有0.48納米的原子力顯微鏡觀察和高度定向通過大面積的X射線衍射θ -2θ掃描的平均粗糙度(Ra) 。c-軸取向的YBCO膜是用一個無氟,金屬乙醯丙酮化物基塗層溶液製備的一個CP處理。 A 30 ×退火在大直徑管式爐10平方釐米矩形的c-軸取向的YBCO薄膜表現出高感性的Jc值,其中分佈相當均勻,平均1.0釐米MA -2在77 K。
外延鈉β-氧化鋁的單晶薄膜已成長為藍寶石襯底。動力學測量和計算表明, β-氧化鋁晶體是通過這是由氧物種的擴散的固相控氣態堿物種和藍寶石襯底之間的化學反應形成的。機制和電影成長的結晶翻譯進行了討論。
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鈮薄膜藍寶石的非凡組合和添加氫的影響
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- 發佈於:2013-12-30, 週一 14:38
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在多晶銅表面(金屬箔或薄膜)及其轉移至任意襯底生長大面積石墨烯的當前方法在技術上是有吸引力的。然而,石墨烯的質量可以得到顯著通過對單晶銅表面上生長了改善。這裏表明,高品質大面積的石墨烯可以在外延單晶銅薄膜上可重複使用的基底面藍寶石襯底轉移到另一襯底上生長。同時使石墨烯生長在銅單晶的表面,該方法具有避免成本高,並與石墨烯傳輸過程中犧牲散裝單晶銅相關聯的石墨烯廣泛損害的可能性。
提出了高分辨率X-射線散射通過在藍寶石襯底上分子束外延生長的鈮薄膜的結構連貫性的研究結果。在離面的Bragg峰的橫向掃描,我們發現兩個組成部分,其清晰的暗示mosaicities幅度比散裝單晶鈮更好的秩序,橫向結構的相幹長度超過104。此外,我們觀察到,與銳利的組件相關聯的平面正好與藍寶石平面對齊。後的鈮片的載氫,我們發現證據的橫向相幹長度的顯著增加。
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氧化鋅對生長的氮化鎵/藍寶石範本結構性質從納米棒薄膜的轉變
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- 發佈於:2013-12-31, 週二 15:14
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合成上採用改進的熱蒸發工藝配方/藍寶石襯底上的氧化鋅納米棒。使用掃描電子顯微鏡,顯微拉曼所合成的納米棒式和薄膜,其特徵在於,和X-射線衍射技術。式的形態變化,從棒向連續薄膜時的生長溫度升高至800℃。在生長溫度進一步增加,導致配方的沿方向較低的增長速度。微型光致發光測量結果表明紫外帶邊發射式從左右兩個納米棒和薄膜的山峰。這樣式結構的實現可以是用於混合式光電器件的製造是有用的。
最近的研究結果表明,可能是AP-型透明導體薄膜的合成是因為複雜的公式相圖的困難。報告使得c軸取向配方薄膜的可靠的方法,薄膜前體沉積在藍寶石襯底上射頻濺射和脈衝鐳射沉積。在空氣中含有公式和公式粉末封閉的坩堝隨後的退火公式產生近晶相純,雙軸織構公式。該薄膜是p型和透明帶式的間隙。
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水平對齊的單壁碳納米管與藍寶石表面可控密度和偏振拉曼光譜合成
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- 發佈於:2013-12-30, 週一 14:35
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輕便合成取向單層碳納米管(SWNT)陣列與A面藍寶石襯底可控密度和偏振拉曼光譜的測量。該催化劑的制備是簡單地浸漬在藍寶石襯底到硝酸鐵和鉬,乙酸鉬,其中提高了碳納米管產量以及再現性的混合溶液中。拉曼光譜測得的高密度納米管陣列的角度依賴性表明單壁碳納米管取向主要在檢視生長的MATHML源方向與其他兩個方向。這表明多種機制的對准,如偽一維排列的Al和淺槽的存在。
獲得的硒化鎘外延層在藍寶石襯底上用定向條件進行了描述。多晶硒化鎘和在基片上的取向沉積的升華是在真空系統的局部quasiclosed體積。在沉積層的結構和形貌的溫度影響進行了研究在結晶區。
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