鎢新聞

氧化鋅薄膜的射頻磁控濺射R面藍寶石襯底上外延生長

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2014-01-16, 週四 11:55; 點擊數：1675

氧化鋅薄膜沉積在R面藍寶石襯底上。熱能和氧化鋅薄膜的生長的濺射物的動能的影響進行了調查。通過改變襯底溫度，腔室壓力，並且射頻功率，氧化鋅薄膜的結構從多晶轉化外延在R面藍寶石襯底上。高品質的氧化鋅外延薄膜的生長，在400 ℃， 250瓦的條件下，和5毫乇。根據反射高能電子衍射和反射電子顯微鏡觀察，有沒有雙衍射變形及任何其他模式。其利用原子力顯微鏡觀察表面粗糙度約為27納米。

A 1.5 GHz範圍內的低插入損耗表面聲波（SAW）濾波器一直采用的氧化鋅/藍寶石襯底和IIDT型電極與兩個外部反射器開發的。該過濾器具有1.3 dB的插入損耗，大於30 dB阻帶衰減和50Ω電阻純的，無需外部匹配網絡匹配阻抗。該濾波器具有先前報道的所有橫向型吉赫範圍的SAW濾波器的最小插入損耗，它是適合於用作一個射頻級濾波器，用於未來的1.5 GHz範圍內的日本數字蜂窩系統。

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在c面藍寶石襯底沿N面極性方向沉積氮化鎵薄膜的生長方式和表面形貌

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2014-01-15, 週三 13:59; 點擊數：1493

在生長條件下的氮化鎵薄膜的極性方向的依賴關系進行了研究，通過改變在供給原料氣體或沉積速率任group-V/group- 藍寶石襯底 III（ V / III）。氮化鎵薄膜沉積在氮化藍寶石兩步金屬有機物化學氣相沉積。從平面六角形的表面形態改變為錐體六角形小面的V / III比的增加。然而氮化鎵構成的20nm的厚度的優化的緩沖層的極性方向是N面（ -c）的極性，獨立的兩個V / III比，沉積速率。

在氮化鎵外延層的極性可通過該接口在氮化鎵外延層的沉積（氮化的藍寶石，退火緩沖層或氮化鎵基板）來確定。高V / III比增強成核密度，並減少六邊形的小平面的大小。細胞核，形成纖鋅礦結構的氮化鎵的有利六邊形的小平面，橫向應一起成長的方向覆蓋面，直到聚結之間的空間。合並後，-c氮化鎵生長在一個平面六邊形面導致錐體六角面。生長模式-C的氮化鎵已經相對於表面結構和吸附前體的遷移長度所討論的，在鎵面（ + C ）的氮化鎵比較。

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藍寶石基板的約束存在降低氮化鎵的能隙壓力系數

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2014-01-14, 週二 13:45; 點擊數：921

已經進行了光致發光壓力異質外延的氮化鎵薄膜在藍寶石襯底上的依賴了詳細的調查。在藍寶石和自由站立的氮化 LED 藍寶石基板鎵膜的生長的氮化鎵之間的比較，使用激光輔助基板剝離過程中產生的，發現該藍寶石基板的存在導致的能隙壓力系數降低約5％。該結果與本文中介紹的數值模擬。我們建立了自支撐氮化鎵構成的線性壓力系數是41.4 ±0.2兆電子伏/ GPa時，與該能隙的變形電位是-9.36 ±0.04電子伏特。我們的結果還表明對於氮化鎵（B' = 3.5 ）的體積彈性模量的壓力導數的一種新的，較低的值。

發光二極管（LED）粗糙化表面提供光提取效率顯著改善。通過使用激光剝離技術隨後的各向異性蝕刻處理以使表面粗糙， n側式氮化鎵基LED具有六邊形“錐狀”表面已經制成。 LED輸出功率的提高取決於表面的條件。一個最佳表面粗化LED的輸出功率顯示了兩倍至三倍的增幅相比，在考慮表面粗糙化之前的LED。

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電子遷移率超過104平方厘米/VS中的AlGaN-GaN異質結生長在藍寶石襯底上

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2014-01-15, 週三 13:56; 點擊數：1498

高品質的AlGaN/GaN摻雜的單異質結（SH）具有不同鋁含量已生長在藍寶石襯底上。的磁輸運調查對這些樣品進行的在低溫下。舒勃尼科夫德哈斯振蕩在下面3T和整數量子霍爾效應的磁場的觀察，確認在的AlGaN / GaN界面的二維電子氣（2DEG ）的存在。該鋁0.18鎵0.82N/GaN SH顯示10300平方厘米/ V S霍爾遷移率在6.19 × 1012/cm²在1.5 K。測量到我們所知承載層的密度，這是最高的載流子遷移過在藍寶石襯底上生長氮化鎵基半導體計量。遷移率和載流子密度的片材的Al的組分依賴性進行了研究。基於壓電場效果， 2DEG面密度的Al的組分依賴性進行了計算，這與實驗結果吻合很好。負磁阻與在低磁場拋物面磁場的依賴性，也觀察到在樣品中具有最高的2DEG薄層密度。

高光提取效率表現在倒裝芯片發光二極管（ FCLED ）與有紋理的藍寶石襯底。使用幹法蝕刻工藝，以提高光提取效率的藍寶石襯底的底側形成圖案。光輸出功率的測量表明，在活性層發出的光子的散射造成的增加從FCLED逃逸的概率的紋理化藍寶石基板大大增強。該FCLED的光輸出功率為0.4毫米深FCLED為13毫米的網型紋理在藍寶石基板的底側的周期性距離增加了40.2 ％。

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藍寶石襯底縮增長方式Ⅲ族氮化物發光二極體的有機金屬氣相外延

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2014-01-14, 週二 13:43; 點擊數：892

氮化鎵上進行的藍寶石襯底金屬有機氣相外延（ MOVPE ）生長，發光二極管（LED）的特性上生長圖案化藍寶石和平面襯底的設備進行了比較。該藍寶石基板是由一種新的方法（急切），據此，鋁通過兩階段退火過程中被外延地轉化為結晶氧化鋁制成。生長在藍寶石襯底上的氮化鎵模板是通過一個縮寫生長模式，其中使用了一個15納米厚的低溫氮化鎵緩沖層完成，而不外延過程中使用回蝕和恢複過程。

InGaN量子阱（量子阱）的LED生長在藍寶石氮化鎵模板上，采用縮寫的增長模式。生長圖案化急切藍寶石襯底上的優化的InGaN量子阱發光二極管表現出在輸出功率的24 ％的改進相比，在氮化鎵 LED的使用常規方法模板生長。在LED的輸出功率的增加是由於LED的改進的內部量子效率。

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