中國芯來了 記憶體降價指日可待

近日，紫光國芯旗下西安紫光國芯半導體有限公司生產的DDR4記憶體模組已經開始量產並且能夠長期供貨，紫光DDR4記憶體採用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發。據紫光國芯介紹，其DRAM晶片目前產品產量很小，市場份額不大。

雖然產量不大，但終歸是有了，而且已具備了規模量產並長期供貨的能力，可能是由於商業機密的原因，紫光公司並沒有透露更多的細節。在西安紫光國芯半導體的官網上，仍沒有見到DDR4代記憶體的相關參數，但消息也並非捕風捉影或空穴來風，網路消息顯示國產DDR4記憶體已經通過CPUZ的認證，U型DIMM代號“SCQ04GU03AF1C-21P”， “SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM 2個模型代號“SCQ04GS03AF1C-21P”，“SCQ08GS13AF1C-21P”。

近年來，由於智慧手機的需求量劇增，導致記憶體價格水漲船高，也影響到電腦記憶體價格，以前我們裝一台電腦是買主機板送記憶體，現在是買完主機板再買記憶體，然後吃土。隨著原材料價格的上漲，電腦配件的價格也一直在漲。作為智慧手機和電腦必不可少的配件，記憶體的價格已成為數碼硬體消費中舉足輕重的組成。

記憶體的核芯是大型積體電路，據瞭解，積體電路的晶片製造需要上千個工藝步驟，每個步驟都需要特定設備的加工。不僅需要專業的設計技術，更重要的是先進的納米加工設備和能力，過去，這個領域一直被韓美日廠家壟斷，也因此，三星可以無視手機爆炸門，在記憶體漲價潮中獲得更大的盈利。

存儲行業的這波強勢價格走位已經極大地影響了PC乃至整個IC 晶片行業。欣喜的是，紫光國芯研發的國產DDR4 也已經箭在弦上，而這其中我們的鎢也將有一展抱負的施展空間。

在電子工業中，鎢及其矽化物主要用於超大型積體電路的電阻層、擴散阻擋層等以及在金屬氧化物半導體型電晶體中作為連接材料等。這是因為隨著半導體裝置中的集成水準提高，柵極線寬、柵極絕緣膜厚度及結深度減小。這些減小使得難以實現多晶矽製成的柵極中所需的低電阻。而金屬鎢具有優良的臺階覆蓋率(step coverage)和填充性，且金屬鎢在介質層內的擴散係數比銅的擴散係數小的多，因此通常採用金屬鎢作為阻擋層和柵極填充材料，目前這一應用雖然對鎢的總需求量並不占多大比重，但這是一項高附加值的應用，極具意義。

應用於大型積體電路的鎢需要有非常高的純度，鎢源一般為超純鎢，在積體電路製造中，沉積鎢的工藝一般為物理氣相沉積法（PVD）或化學氣相沉積法（CVD）。PVD採用氮化鎢，而CVD採用六氟化鎢。目前，國產DDR4代記憶體的量產已萬事具備，有人有技術有設備有原材料。例如近日就有新聞報導我國已能自主生產新型的金屬刻蝕機、化學機械拋光（CMP）設備，物理氣相沉積（PVD）設備等，能夠根據國際標準設計，對矽，銅，鎢，鋁，氧化物，氮化物，鉭和聚合物等不同半導體材料進行加工，而且全國最大、最先進六氟化鎢的生產基地——歐中電子特氣專案正式在渝開工，未來將為半導體製造行業提供高品質的六氟化鎢，一系列的新聞報導已表明，記憶體降價指日可待。

• < 前一頁
• 下一個 >