中韓研究人員利用WS2開發下一代半導體

據ANI援引《全球經濟》報導，韓國基礎科學研究所（IBS）下屬的多維碳材料中心（CMCM）宣佈，一個研究小組發現了影響大面積單晶二氯化物生長的核心原理。研究人員與一個中國研究小組合作，成功地將二硫化鎢（WS₂）等核心二氯化物材料生產為晶圓級單晶過渡金屬二氯化物（TMD），為開發下一代半導體奠定了良好的基礎。

TMD是由硫（S）、硒（Se）和碲（Te）等黃銅分子以及過渡金屬組成的下一代半導體。由於由兩種元素組成的TMD的結構對稱點在週邊而不是中心，因此在製造過程中選擇基材成為問題。

據該研究小組稱，“雙耦合引導的外延生長方法，是一種為TMD選擇最佳襯底的方法。研究小組還指出，二硫化鎢更傾向於兩個反向平行結構，所有在襯底上的臺階邊緣形成的WS₂可以利用藍寶石襯底絕緣體以單一方向排列。

此外，二硫化鉬、二硒化鎢和二硒化鉬等TMD也由合作研究小組在2英寸的大面積晶圓上成功生產。這項研究結果發表在科學權威雜誌《自然-納米技術》上，其研究成果已經被評估為大大加快了矽之後的新半導體材料的商業化進程。

中韓研究人員利用WS₂開發下一代半導體將大大推動下一代晶片的商業化進程。本月初，韓國跨國電子公司三星電子和SK海力士向美國政府提供了其業務資料。三星電子和SK海力士於11月9日向美國商務部提交了與庫存和銷售有關的資料。

9月早些時候，美國商務部曾要求半導體設計、製造、供應和分銷公司提交商業資料。在一份官方聲明中，三星電子錶示，除了敏感的機密資訊外，該公司以適當的方式向美國政府提交相關資料，以保護客戶關係中的信任。

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