傳統的二硫化鉬薄膜製備方法是將MoS2材料是採用CVD法在Si襯底上製備然後移植到其它材料上（如GaN襯底）。這種技術雖然簡單易行，通用性強，但是卻具有非常致命的缺點，就是MoS2材料與襯底材料的結合力比較差，轉移過程中會引入額外的缺陷，降低產品品質，另外轉移移植過程也相當繁瑣。因此，這樣所制得的材料也就無法廣泛應用於電力電子領域甚至是發光領域。針對上述的不足，下文將為大家介紹一種MoS2薄膜的新製備方法。

與石墨烯層狀結構相似的二硫化鉬（MoS2）同樣能被剝離成單原子層的二維材料，其在電子器件、催化、光電領域等中具有極大的潛在應用價值。當前，常使用化學氣相沉積法來製備尺寸較大且表面均勻的MoS2，但是襯底上的雜質或劃痕等缺陷易限制產品核的生長。因此，下文將為大家介紹一種單層二硫化鉬的新生產方法。其具體步驟如下：

為了進一步升高太陽能電池的光電轉換效率以及降低生產成本和減低對生態環境的污染度，研究者表示其在生產時摻雜適量二硫化鉬（MoS2）薄膜來作為重點功能性原料。

碳納米管在幾何層面上可以看作由若干層石墨片沿同一軸線捲繞而形成的空心管狀結構，根據石墨片層數可將其分為單壁碳納米管、雙壁碳納米管和多壁碳納米管。目前，它的製備方法有：電弧放電法、鐳射燒蝕法、化學氣相沉積法（CVD）以及火焰法等。其具體操作如下：