氧化鋅薄膜沉積在藍寶石襯底化學氣相沉積

氧化鋅薄膜具有約200的厚度沉積在a面藍寶石襯底上納米化學氣相沉積（CVD）的方法用混合ZnO-powder/C-powder固體源。這些薄膜用原子力顯微鏡（AFM） ，掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發光（PL ）光譜。氧化鋅薄膜的溫度PL的關系的測定表面結構特性及其光學特征之間的相關性進行了研究各種生長條件，如流量氧氣噴射氣體和生長溫度。在室溫下，為3.305電子伏特這些電影的庫侖相互作用增強吸收力通過光吸收測量確定。

當然調結構，氧化銦（氧化鋅） 5片通過在藍寶石襯底上磁控濺射法外延生長。薄膜的晶體結構和形態特征，其特征在於，利用X射線衍射和電子衍射圖案。 In2Zn5O8的強烈c軸方向朝向的膜的沉積是由外延生長具有自緩沖層（SBL）來實現。 In2Zn5O8的厚度約10納米的薄膜最初沉積為SBL 。該初始膜annealedin原位10-15分鐘，大頭In2Zn5O8的膜之後將其生長。最後，結晶良好的氧化銦（氧化鋅）的薄膜通過在800℃退火得到的膜而得到所合成的膜的電特性有關由它調制的氧化銦（氧化鋅）的結構形成機制的討論。


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