鎳催化的有機金屬化學氣相氮化鎵納米線沉積生長和流程建模研究

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2014-01-06, 週一 15:12; 點擊數：1279

實驗和計算流體動力學為基礎的反應器模擬研究的組合被用來在等溫管式反應器研究了工藝條件對氮化鎵納米線生長的影響由金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）。合成使用鎳薄膜作為催化劑藍寶石襯底的氮化鎵納米線。觀察到的氮化鎵納米線的生長超過800-900 ℃的爐中的溫度範圍在V /比率從33到67和III被發現是強烈依賴於襯底相對於所述III族進料管的位置。建模研究表明，納米線的生長一致地發生在一個區域中的反應器，其中所述氮化鎵薄膜沉積率降低和氣體相，主要由三甲基鎵，氨加成物的化合物的反應以及分解產生的中間物質。氮化鎵納米線表現出主要的生長方向。光致發光測量顯示增加在GaN近帶邊發光強度，並在深層次的黃色熒光的減少而增加生長溫度和Ⅴ/Ⅲ比率。

外延鋯鈦酸鉛鑭[ PLZT （9/50/50） ]薄膜，制作在使用金屬-有機溶液的旋塗各種單晶襯底。該薄膜進行熱處理，在700 ℃下使用直接插入法1小時。薄膜的外延生長分別平行於鈦酸鍶、氧化鎂、以及藍寶石襯底。用X-射線衍射，極點圖，搖擺曲線，和掃描電子顯微鏡對薄膜的外延生長進行研究。

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