氮化鋁對氮化藍寶石同質外延生長以鎵-鋁二元液液相外延法

利用不斷增長的在常壓下鎵鋁二進位流氮化鋁層的新型液相外延法。在該方法中，將氮氣注入通量。然後氮化的藍寶石基片用作範本，以實現同質外延生長。使用氮化的藍寶石基片的優點進行了論證;最佳焊劑組合物進行了研究。我們增長了1μm厚的c軸擇優取向AlN層5小時，在1573 K的全寬的X射線搖擺曲線半氮化鋁的最大值和分別為50和590弧秒。另外，表面形態和介面結構用掃描電子顯微鏡，鐳射顯微鏡，和高解析度透射型電子顯微鏡進行觀察。

通過應用常規外延晶體生長技術，這VLS過程中，也能夠獲得納米線的生長過程中的精確定位控制。這項技術，氣 - 液 - 固外延（VLSE），特別是在強大的高品質的納米線陣列和單絲devices13的可控合成。例如，氧化鋅更傾向於沿著方向生長，並容易形成高度取向的陣列時，外延生長的a面藍寶石襯底上。可以實現對GaN10和矽/鍺系統的生長控制的水準相近。因此能夠使用該VLSE技術為納米線陣列的生長與嚴格控制尺寸（直徑<20納米）和均勻性（<±10％）。此外，我們已經探索了不同類型的納米線異質結構，包括coaxial15和縱向variations16。半導體異質結構使電子和空穴的限制，光導，並且兩個子輸運和載流子遷移率的調製。這個尺寸單分散性和異質結構的控制是至關重要的許多建議應用這些納米線陣列，包括發光和場效應電晶體。


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