藍寶石襯底預處理和初期生長：對策略在藍寶石分子束外延高品質III族氮化物生長

藍寶石基板退火在1200℃在N2：O2（3：1）開發平臺和步形態，理想的III族氮化物生長的分子束外延。在藍寶石基板上，使用鎵的前生長沉積和解吸的就地處理，被證明是陰性的氮化鎵生長。氮化轉化的藍寶石襯底表面到類似的氮化鋁（失配<2.5％）的橫向結構。氮化後的表面的晶格參數不依賴於襯底的溫度。氮化鋁成核層生長條件進行了優化，氮化鎵生長。理想的鋁 / 氮光通量之比被發現是0.6為9納米厚的成核層。

氧化鋅納米線製備了在金塗層藍寶石襯底上通過使用脈衝Nd：YAG鐳射的氧化鋅靶在爐中。氧化鋅納米線具有各種尺寸和形狀與爐內不同的襯底的位置。的長度和這些氧化鋅納米線的直徑為約3-4微米和120-200納米，分別用掃描電子顯微鏡（SEM）證實。納米線的直徑控制是通過改變基片的位置來實現。觀察到在室溫下的納米線從近帶邊發射（NBE）紫外發射。的形成機理和對氧化鋅納米線的結構和光學特性的基板不同位置的效果進行了討論。


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