藍寶石Czochralski晶體生長期間不同階段傳輸過程對RF線圈位置的影響

藍寶石晶體生長過程中的各個階段上熱感應加熱直拉晶體生長爐中的RF線圈位置影響，並流傳輸時晶體 - 熔體介面的形狀的形狀，並且功率要求的數值研究。結果表明，雖然溫度和速度下降的最大值，晶體熔融介面隨著晶體長度的凸性增長。它被發現時所需的最小輸入功率如果RF線圈的中心位置是在晶體生長過程中保持在低於熔體的中心的位置。在這樣的晶體生長條件下，溫度梯度沿結晶前小。

藍寶石薄膜，一般為10微米厚，使用脈衝鐳射沉積從一個不摻雜鈦藍寶石襯底：藍寶石單晶目標為0.1 ％（重量）氧化鈦的摻雜水準。這些薄膜都顯示利用離子束溝道和X-射線衍射技術具有非常高的晶體品質。鈦摻入薄膜的程度使用電感耦合等離子體質譜法和粒子誘發X射線發射的影響。這些技術表明，高達0.08重量％氧化鈦的水準存在於沉積層。


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