藍寶石單晶氧化鋅納米線的光學性質

外延生長的習慣和缺陷氧化鋅納米線從盟催化劑(00.1)GaN /藍寶石襯底上使用vapor-liquid-solid(VLS)使用電子顯微鏡藍寶石晶體和x射線衍射技術進行了研究。結果顯示存在的水準(crawling-like)和垂直納米線有類似的取向與襯底的關係(00.1)氧化鋅| |甘(00.1),(11.0)氧化鋅| |甘[11.0]。crawling-like增長先於垂直增長,聚結和爬行生長納米線產生一個有嚴重缺陷的納米層之間襯底和垂直。透射電子顯微鏡顯示高密度平面缺陷的介面層。相當密度的堆積層錯駐留在(0001)飛機也觀察到納米短垂直。爬行納米線受到殘餘壓縮應變,而垂直納米strain-free生長。

合成了氧化鋅納米線,使用catalyst-assisted異質外延m-sapphire襯底碳熱還原的還原方法。取得了複雜而統一的陣列,每個納米線形成一個角∼30°的襯底正常。在室溫下光致發光研究波長之間的335和620海裏揭示一個強大的單一激子峰在∼380海裏(3.26 eV)伴隨深層藍移排放峰值∼486,490和510海裏。紫外共振拉曼光譜已經被用於描述納米線與多聲子散射在室溫下表現出聲子的量子限制。


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