EFG藍寶石色帶異質外延矽襯底的生產

色帶異質外延矽襯底的生產方法被描述為藍寶石晶體的帶狀幾何形狀的邊緣限定薄膜供給生長（ EFG）技術的發展。色帶狀晶體生長以用作異質外延矽襯底。的裝置中，生長過程中，和所生長的帶狀的特徵進行了描述。三帶75毫米的寬度，同時增加。增長率為152和204毫米/小時之間。絲帶的高百分比是免費的非取向晶粒的。在主缺陷的特點是“片”微空隙通常5-25微米的直徑，和“分散式”微孔的直徑通常為0.5-2微米。無顯著差異在製作中的異質外延矽沉積在EFG和直拉生長的襯底設備觀察。

氮化鎵上使用開放管生長爐藍寶石襯底上的外延生長已進行了研究後的層的屬性襯底取向和輸送氣體的影響。已經發現，對於（0001 ）襯底，表面外觀幾乎是獨立的摻雜水準的載氣和的。對於（ 1 ¯ 102 ），而不是氫時，他是作為輸送氣體基材表面網格大大降低。當在GaN中摻雜有Zn和為（1 ¯ 102）襯底中Zn摻雜運行使用He作為傳輸氣體所獲得的最好的表面刻面也減少了。在電性能為（1 ¯ 102）襯底方面是最好的樣品具有流動性大於400平方釐米Ⅴ-1秒-1和大約2× 1017釐米-3載流子濃度。該樣本是未摻雜和使用他作為傳輸氣體。最好的（0001）的樣品也生長未摻雜與He作為輸送氣體，並且具有300cm2V -1秒-1下的流動性和在1× 18 cm -3以上載流子濃度。


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