鉬:降低三星NAND快閃記憶體層高和回應時間
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- 分類:鎢新聞
- 發佈於:2024-07-11, 週四 19:47
- 作者 Xiaoting
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在半導體技術的浩瀚星空中,每一次微小的進步都可能引發行業內的巨大變革。據瞭解,三星公司在其第9代V-NAND技術上進行突破性嘗試——引入鉬(Mo)作為金屬佈線材料。這一創新不僅預示著NAND快閃記憶體層高有望實現30%至40%的進一步縮減,更將顯著降低回應時間。
在半導體製造這一精密而複雜的領域中,金屬佈線猶如電路中的血脈,將數十億個電子元器件緊密相連,賦予半導體產品以生命。無論是CPU、GPU還是其他各類晶片,金屬佈線都是實現其功能的關鍵環節。因此,尋找更加高效、穩定的金屬佈線材料,一直是半導體行業不斷探索的課題。
六氟化鎢(WF6)目前是半導體金屬佈線的重要材料之一。據中鎢線上瞭解,六氟化鎢是一種無色無味的氣體或淺黃色液體,它經過化學氣相沉積工藝後能形成金屬鎢,再將金屬鎢製成二矽化鎢(WSi2),以作為半導體的配線材料。
為了提高半導體的性能,三星此次選擇鉬材料作為金屬佈線的革新嘗試,無疑是一次大膽的探索。鉬的高熔點、高密度、良好導電導熱性和化學穩定性,使其成為提升NAND快閃記憶體性能的理想選擇,允許在NAND中堆疊更多層。然而,鉬材料的引入比較困難,它要求生產設備能夠進行耐高溫處理,將固態鉬原材料加熱至600℃以上,並轉化為氣態,這與金屬佈線廣泛使用的六氟化鎢處理方式截然不同。
據消息人士稱,三星已從Lam Research公司引入了首批5台Mo沉積機,並規劃在明年再增購20台,以加速其鉬基NAND的生產佈局。
供應鏈方面,三星正與多家領先供應商緊密合作,包括英特格(Entegris)和Air Liquide,以確保穩定的鉬源供應。同時,默克等公司也積極回應,向三星提供了鉬材料的樣品,展示了行業對新技術路徑的廣泛支援與期待。
此外,SK海力士、美光和 鎧俠等公司也紛紛跟進,探索在NAND生產中採用鉬材料的可行性,共同推動半導體材料的革新進程。
據悉,今年5月,三星已經啟動了首批第九代V-NAND快閃記憶體量產,位元密度比第八代V-NAND提高了約50%。第九代V-NAND配備了下一代NAND快閃記憶體介面“Toggle 5.1”,可將資料登錄 / 輸出速度提高 33%,最高可達每秒 3.2 十億位元(Gbps)。除了這個新介面,三星還計畫通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態硬碟市場的地位。
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