鎢加熱子真空鍍膜在MOSIC中的應用

MOSIC是金屬—氧化物半導體積體電路的英文簡寫。是以金屬—氧化物—半導體場效應電晶體為主要元件構成的積體電路。該電路的製造結構簡單，隔離方便。電路尺寸較小且功耗低。MOS（金屬—氧化物—半導體）管是一種雙向器件，設計靈活性很高。一般來說MOS積體電路功耗低，集成度很高，可以用作數位積體電路。但是這種積體電路的缺點是速度較低，驅動能力比較弱。

按電晶體的溝道導電類型，可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS電晶體結合成一個電路單元的互補MOSIC，分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS積體電路。隨著工藝技術的發展，CMOS積體電路已成為積體電路的主流，工藝也日趨完善和複雜 ，由P阱或N阱CMOS發展到雙阱CMOS工藝。按柵極材料可分為鉛柵、矽柵、矽化物柵和難熔金屬（如鉬、鎢）柵等MOSIC，柵極尺寸已由微米進入亞微米（0.5～1微米）和強亞微米（0.5微米以下）量級 。

鎢加熱子在高溫下和鍍膜裝置裡的殘餘氣體會發生反應，作為氧化物會被蒸發掉。並且加熱子會和被蒸發物質鋁發生反應形成Na+，這樣以來加熱子應用在MOSIC上的問題就比較嚴重了。因此，為了減少Na+的污染，執法之前要加長脫氣的時間並且升高溫度，加熱到鎢絲發紅而又不會導致鋁發生熔化現象。脫氣時蒸發電壓為4~6V，電流50~55A，時間為1分鐘最好。在此條件下進行蒸發鍍膜可以一定程度上克服因蒸發沾汙而造成漏電使結特性變壞。

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