探究濺鍍參數對三氧化鎢薄膜的影響

本實驗採用反應式射頻磁控濺鍍系統，在 ITO 玻璃基板上成長三氧化鎢薄膜，靶材至基板距離為 60mm，靶材為直徑3吋，純度 99.99%之W靶，濺鍍氣體為Ar、O₂；真空度可達15×10-9 Pa。基板溫度可加熱至700℃。成長三氧化鎢薄膜之制程參數如圖所示。薄膜表面型態用掃瞄式電子顯微鏡(SEM)來觀察。而薄膜緻密度是使用橢圓儀來量測，其光源是 0.8 mW He-Ne laser(632.8nm)。最後利用分光計進行著色與去色的穿透率量測，所量測著色與去色的穿透率皆是取波長在綜合以上制程參數對氧化鎢薄膜穿透率變化值的影響結果可以得知，薄膜的緻密度是影響電致色變穿透率變化的主要因數，當薄膜越緻密的時候，其離子會更不容易遷入薄膜，因此會造成著色之困難度，使電致色變的性質不佳。降低基板溫度與濺鍍功率以及提高制程壓力皆會使 WO₃鍍膜緻密度下降而使電致色變的性質變好。

實驗結果顯示基板溫度升高與濺鍍功率增加皆使得WO₃鍍膜緻密度增加而造成著-去色的電致色變特性變差。相反的，制程壓力增加使WO₃鍍膜緻密度降低而提高電致色變率。氧氣分壓則對電致色變影響不大。在相同制程條件下電致色變率隨薄膜厚度增加而增加，在 400nm以上因著色後之穿透率已趨近於零，因此，電致色變率達一最大值。

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