3. 摻雜離子提高WO3的光電性能。離子摻雜主要是通過陽離子與陰離子進入到WO3晶格內部，替代WO3半導體中的W+鎢離子或者O2-氧離子來影響電子的激發以及電子-空穴分離。研究發現摻雜Cr、Mo這些等價金屬替代晶格中的W原子，不但對晶格的幾何結構影響小，而且使導帶的底部下移，減小帶隙；當摻雜Ti、Zr、Hf，這些價態小於W金屬的金屬材料時，會在O氧原子的2P軌道上形成兩個空位，形成氧空穴，並且使價帶的頂端上移，由於這三種金屬的原子半徑都大於W原子，會造成導帶的底部上移，但是從整體上來說禁帶寬度因為摻雜而減少。