仲鎢酸銨晶體的生長反應歷程

仲鎢酸銨晶體生長歷程可由非基元反應和相變反應組成。

1.非基元反應：


與仲鎢酸根B（H₂W₁₂O₄₂^10-）相比，形成仲鎢酸根A（HW₆O₂^15-）是一個快速的過程，但是始終受到氨揮發的影響。而仲鎢酸根A到仲鎢酸根B即使在較高溫度下長時間陳化也不能完全轉變。

2.相變反應

首先，結晶介質以（NH₄）10H₂W₁₂O₄₂.4H₂O和H₂O等分子或離子形式向生長介面擴散。再是聚結在生長介面的結晶介質進入晶格座位發生表面反應。然後放出結晶熱並向外輸送。

仲鎢酸銨晶體的粒度很小，晶液的粘度也很小，擴散對相變反應的影響不大。當達到某一較小的極限攪拌轉速時，晶體生長速率不再與轉速有關。由於擴散速率很高，結晶過程可轉由表面反應控制。結晶熱一般較小，對過程的影響可以忽略不計。


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