CVD鎢管工藝參數對沉積速率的影響

CVD鎢管工藝參數：
反應氣體：WF₆和H₂的通入量和配比保持不變
沉積溫度：500℃，600℃，700℃，800℃（加熱方式不變）
沉積基體：紫銅管，相同管徑
還原反應：WF₆+ H₂ → W + 6HF (125Kj/mol)

CVD鎢管工藝參數對沉積速率的影響：
由CVD鎢管實驗的結果分析可以看出以下幾點：
CVD鎢管的沉積速率隨著沉積溫度的升高而加快。

當沉積溫度低於500℃時，還原反應的速度非常緩慢，鎢管沉積膜層的生長速率很低。

當沉積溫度在500℃-700℃時，CVD鎢管的沉積速率的提高較明顯。

當沉積溫度在700℃-800℃時，CVD鎢管的沉積速率的加速較緩慢。

若是沉積溫度超過800℃，所獲得的鎢管沉積層組織結構很疏鬆，不存在實際的使用價值，所以，沉積溫度宜控制在500℃-700℃。

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