儲存器用納米氧化鎢

作爲過渡金屬N型半導體材料的代表，納米氧化鎢粉末不僅是新一代儲能電極材料的優選添加劑，還是新型半導體儲存器的重點儲存介質。半導體儲存器之所以選用鎢氧化物來作爲儲存介質，是因爲該材料具有極爲優异的光電效應，且在電場的作用下其電阻值能發生可逆轉變。

光電效應是物理學中一個重要而神奇的現象。在高于某特定頻率的電磁波照射下，某些物質內部的電子吸收能量後逸出而形成電流，即光生電。鎢氧化物因光電效應較爲優秀，而能使所製備的儲存器擁有更快的信息傳輸速度。另外，納米氧化鎢因有可逆的電阻值轉變能力而能使儲存器達到較好的存儲目的，且不易失性。

半導體存儲器是一種以半導體電路作爲存儲媒體的存儲器。按功能的不同，其可以分爲隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。

RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的信息都會隨之丟失。DRAM主要用于主存（內存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。

ROM主要用于BIOS存儲器。按製造工藝的不同，其可分爲雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器；按存儲原理不同，其可分爲靜態和動態兩種。

現今，爲了彌補傳統半導體儲存器的不足，研究者建議使用納米氧化鎢材料來作爲它的儲存介質。

• < 前一頁
• 下一個 >