半導體存儲器用納米氧化鎢

半導體存儲器之所以選用納米氧化鎢材料來生産儲存介質，是因爲它是一種非常重要的半導體材料，具有良好的電化學性能，幷且在電場作用下其電阻值能發生可逆轉變。下面，我們一起來瞭解一下基于氧化鎢存儲元件的存儲裝置的製造方法。

製造方法（一）

存儲裝置包括插塞，插塞從基板的頂表面向上延伸穿過一介電層；底電極，底電極的外表面具有鎢，底電極從插塞的頂表面向上延伸；絕緣材料，絕緣材料環繞底電極幷且與底電極的外表面的鎢接觸；存儲元件，位于底電極的上表面，存儲元件包括一氧化鎢化合物，且存儲元件可編程爲至少兩種電阻態；以及頂電極，頂電極上覆幷接觸存儲元件。另外，插塞具有第一側向尺寸，底電極具有側向尺寸，側向尺寸平行于插塞的第一側向尺寸，且側向尺寸小于插塞的第一側向尺寸。

製造方法（二）

鎢氧化物存儲部是使用非關鍵掩膜氧化鎢材料形成，或者在部分實施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存儲器裝置包括底電極及存儲器元件，且存儲器元件位于底電極上。存儲器元件包括鎢氧化合物且其有兩種以上的電阻狀態；上電極包括阻隔材料，位于存儲器元件上，且此阻隔材料的目的是爲了避免金屬離子從上電極移動到存儲器中。

相對于傳統的半導體儲存器來說，氧化鎢存儲元件擁有更好的響應性能。

• < 前一頁
• 下一個 >