矽基氧化鎢氣敏性能研究

過渡金屬氧化鎢是一種各方面物理化學性能都極為優異的N型半導體材料，其因氣敏性出色、量子尺寸效應顯著的原因，而常用來生產高品質的氣體感測器。但是單純的氧化鎢組分並不能完全發揮它的功能，因此材料科學家表示可以非金屬矽元素來修飾它。接下來主要介紹的是矽基氧化鎢氣敏性能的研究。

利用電化學腐蝕方法製備n型有序多孔矽，並以此為基底用直流磁控濺射法在其表面濺射不同厚度的氧化鎢薄膜。利用X射線和掃描電子顯微鏡表徵了該材料的成分和結構， 結果表明，多孔矽的孔呈柱形有序分佈，濺射10min的WO3薄膜是多晶結構，比較鬆散地覆蓋在整個多孔矽的表面，分別測試了多孔矽和多孔矽基氧化鎢在室溫條件下對二氧化氮的氣敏性。結果表明，相對於多孔矽來說，多孔矽基氧化鎢薄膜對二氧化氮的氣敏性能顯著提高。對多孔矽基氧化鎢複合結構的氣敏機理分析認為，多孔矽和氧化鎢薄膜複合形成的異質結對良好的氣敏性能起到主要作用，氧化鎢薄膜表面出現了反型層引起了氣敏回應時電阻的異常變化。

資料擴散：氣敏性是氣體敏感性能的簡稱，一般指材料某一性能如電阻等在通入某氣體（如乙醇，甲烷，氫氣等）發生變化，而氣敏性就是用來表示這種變化的程度，變化程度越大，說明氣敏性越好。氣敏性的綜合性能還包括：回應及恢復時間，最佳回應溫度，靈敏度，穩定時間長短等。

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