氮化鎵電晶體

氮化鎵既是一種由氮和鎵組成的無機化合物，也是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。相對於矽電晶體來說，氮化鎵電晶體擁有更快的資料傳輸速度，這主要是因為氮化鎵具有較寬的直接帶隙、較強的原子鍵、較高的熱導率、良好的化學穩定性（幾乎不被任何酸腐蝕）以及優異的抗輻照性能等特點。

矽電晶體主要由矽製成，用在高電壓電路中，其作用是增強電子的射頻信號。但是，矽存在一定的缺陷，即當溫度超過200攝氏度後，矽基設備就開始出故障。從反面來說，這也就加速了氮化鎵電晶體的催生。

氮化鎵電晶體具有優異的耐熱性能，能應對1000攝氏度以上的高溫，因此由其製成的電子設備幾乎不需要冷卻。另外，氮化鎵電晶體能應對的電場強度是矽的50多倍，因而科學家們可用它來製造資訊傳送速率更快的電子線路。不過，氮化鎵技術過於昂貴，不能直接取代矽技術。

據悉，在最新研究中，博羅內斯和法國國家科學研究中心的科學家成功地將氮化鎵種植在(100)-矽晶圓（晶體取向為100）上，製造出了新的氮化鎵電晶體，在降低生產成本的同時，也能彌補矽電晶體耐高溫性能差的問題。目前，科學家們已研製出了兼具CMOS（互補金屬氧化物半導體）晶片的計算能力和氮化鎵電晶體大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設備。

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