GaAs與GaN晶片的不同之處

眾所周知，新一代的電子晶片將引領電子市場的變革。作為第二代和第三代半導體的主要代表，GaAs（砷化鎵）和GaN（氮化鎵）都屬於化合物半導體材料，均因為具有較好的耐高溫、高壓、高頻以及高電流密度性能的優勢，在衛星、高鐵、雷達、發電、輸變電、照明等領域中有著重要的地位。那GaAs與GaN晶片有什麼不同之處？

砷化鎵晶片因能同時處理光電資料，而被廣泛應用於遙控、手機、DVD電腦週邊、照明等諸多光電子領域；因電子遷移率比矽高6倍，而成為超高速、超高頻器件和積體電路的必需品。此外，砷化鎵晶片還有噪音小，耐高壓性能好的特點，適合運用于行動電話、衛星通訊、微波點對點連線、雷達系統等地方。不過，砷化鎵單晶片的價格也相對較高，大約是相當於同尺寸矽單晶片的20至30倍。

與砷化鎵晶片相比，氮化鎵晶片不論是在成本、體積、重量、功率方面還是效率方面都會更勝一籌。

氮化鎵晶片的功率密度，也就是同樣大小晶片所能夠處理的電能，比砷化鎵晶片高5—10倍；在所允許的電壓和電流方面，同樣大小的氮化鎵晶片比砷化鎵晶片高一倍多。另外，氮化鎵材料的熱導率是砷化鎵的7倍，這就意味電芯的冷卻要求比較低。因此，氮化鎵晶片特別適合應用於手機基站、干擾機、戰術無線通訊系統、衛星通信戰、電力分配系統和軍用雷達系統之類的高頻設備中。但是，氮化鎵晶片可靠性較差，成本較高。

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