氧化鎢摻雜氧化釓

使氧化鎢作為低壓電容－壓敏電阻材料在實際中應用，必須解決好其電學穩定性的問題。以前的研究工作表明,三氧化鎢的電學性能是不穩定的，高電場情形時存在嚴重的電學退化問題，恒電壓下電流隨時間衰減，有嚴重的滯後現象,妨礙了其作為壓敏電阻材料在實際中的應用。

可以看出，氧化鎢在高電場時具有明顯的電學退化特性。與之形成鮮明對比的是，氧化釓摻雜樣品的伏安特性基本上都不受直流極化的影響。氧化釓摻雜能較好的解決氧化鎢陶瓷中的電性能穩定性問題。通常的氧化鎢陶瓷中，電學性能的不穩定性來源於晶粒相結構的兩相共存引起的極化。氧化釓摻雜使其相結構單一化，從而穩定了電學性能。電學性能的穩定，有利於其作為壓敏電阻材料在實際中應用。釓摻雜後，會影響氧化鎢陶瓷的晶粒生長，摻雜量越大，晶粒尺寸越大。

釓摻雜的氧化鎢陶瓷中，只存在單斜相氧化鎢。說明釓摻雜能明顯抑制三斜相的氧化鎢的形成，使氧化鎢單相化。摻雜量為1％的樣品的壓敏電壓只有4.9V/mm。勢壘電壓很小，只有約0.06V，說明氧化鎢特別適合於低壓壓敏電阻。釓摻雜並不能提高體系的非線性係數。釓摻雜能改善氧化鎢陶瓷電學性能在高電場下的穩定性，這與相結構的單一化有關。在低電場時也是穩定的，這說明耗盡層中的離子遷移是較弱的。因此氧化鎢在低電壓領域具有較好的應用前景。釓摻雜能明顯提高氧化鎢陶瓷的介電常數。

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