氧化鎢稀土摻雜

稀土摻雜方法能夠影響氧化鎢的微結構、相結構、非線性電學性質和介電特性。根據相關研究，稀土摻雜對氧化鎢素所造成影響的主要結論有：

（1）稀土摻雜影響氧化鎢晶粒的生長。釔和釔的小量摻雜限制晶粒生長，大量摻雜可以促進晶粒生長。鏑和鑭摻雜都能促進氧化鎢晶粒生長。鐿摻雜能抑制氧化鎢晶粒的生長。樣品的晶粒尺寸基本在10～20µm之間。能譜分析顯示，摻雜物主要偏析在晶界出。

（2）稀土摻雜能明顯抑制三斜相氧化鎢的生成，使氧化鎢單相化，從而改善氧化鎢陶瓷在高電場下的電學穩定性。稀土摻雜能減小耗盡層中的離子遷移，使得樣品在低電場下也具有穩定的電學性質，這說明氧化鎢在低電壓領域具有較好的應用前景。

（3）稀土摻雜的氧化鎢陶瓷具有低的壓敏電壓和勢壘電壓，因此氧化鎢特別適合於低壓壓敏電阻。

（4）稀土摻雜並不能提高氧化鎢陶瓷的非線性係數。非線性係數基本上在2～5之內。

（5）稀土摻雜在不同程度上可以提高氧化鎢的介電常數，整體上，大約可以提高1個數量級。介電常數的提高使得氧化鎢更適合用於電容－壓敏雙功能材料。

（6）鏑和鑭摻雜的樣品具有特殊的晶界相，在鏑摻雜的樣品中的晶界處出現多孔狀物質，這種物質導電性較弱，使肖特基勢壘得以形成，因此樣品表現為非線性的伏安特性。鑭摻雜的樣品的晶界處出現棒狀物質，這種棒狀物質導電性較好，使得晶粒間的勢壘消失，因此樣品表現為線性的伏安特性。鑭摻雜的樣品的晶界電阻與晶粒電阻相差不大，但仍然具有較大的介電常數，這說明通常的晶界層勢壘電容器模型不能很好的解釋鑭摻雜樣品具有高介電常數的現象。

• < 前一頁
• 下一個 >