氧化鎢陶瓷氧填補過程

高的氧分壓能夠抑制氧化鎢陶瓷的氧空位的形成，從而影響其傳質速率。然而，在氧氣氣氛中燒結的氧化鎢陶瓷擁有相對較高的緻密度。氧離子的半徑為0.14nm，比六價鎢離子的半徑要大很多。

氧離子在氧化鎢陶瓷的晶格中的移動能力比六價鎢離子差。因此，氧離子對燒結過程中的傳質速率影響較大。一定量的氧空位濃度能夠促進氧化鎢陶瓷的燒結。在氧氣氣氛下燒結氧化鎢陶瓷時，氧化鎢氧空位的產生被抑制，但是並沒有停止。氧化鎢陶瓷氧空位的產生和氧原子填補氧空位的過程，是一個動態的平衡過程。

氧化鎢晶界的氧空位形成後，氧氣中的氧原子對其進行填補。這個速率比氧化鎢晶格中的其他位置的氧原子通過擴散來填補要快很多。因此在氧氣氣氛中燒結的氧化鎢陶瓷擁有相對較高的緻密度。真空燒結的氧化鎢陶瓷中氧空位濃度很大，若放置於氧氣氣氛中第二次燒結，氧氣中的原子填補氧空位，能夠使得晶粒生長和緻密度得到提高。然而由於氧化鎢晶粒的生長速率反比於氧化鎢顆粒的原始半徑。因此真空燒結後氧氣中熱處理得到的氧化鎢陶瓷，其晶粒尺寸沒有空氣和氧氣燒結得到的樣品晶粒尺寸大。

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