不同碳載體上的碳化鉬催化劑的合成與表徵
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- 發佈於:2022-05-05, 週四 23:06
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由河南理工大學的研究人員對不同碳載體上的碳化鉬催化劑的合成與表徵進行了研究,通過鉬酸銨在纖維素、g-C3N4、MWCNTs和木質素磺酸鈉上的滲碳製備了碳化鉬,而沒有使用任何氣態碳源。此外,通過使用同步熱分析儀-四極杆質譜聯用系統的原位表徵,對碳化鉬的形成進行了深入研究。
藍寶石上雙層二硫化鉬的成核和外延現象
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- 發佈於:2022-05-05, 週四 23:03
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一項主要由南京大學研究人員開展的一項研究報告了雙層二硫化鉬(MoS2)在c面藍寶石上的均勻成核(>99%)。二維過渡金屬二氯化物(transition-metal dichalcogenides, TMDs)在電子學領域引起了研究人員的廣泛興趣。有人認為,雙層TMDs結合了良好的靜電控制、較小的帶隙和比單層更高的遷移率,有可能改進電晶體的功耗延時產品。然而,儘管在單層TMDs的生長方面取得了進展,但多層可控外延生長仍然是一個挑戰。
生物炭基鉬質肥料提高菜心氮同化率
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- 發佈於:2022-05-02, 週一 12:55
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酸性土壤中的低鉬(Mo)生物利用率阻礙了蔬菜的氮同化率,在酸性土壤中提供可用的鉬是減少蔬菜中硝酸鹽積累的一個挑戰。由廣東省農業科學院研究所展開的一項課題研究了三種鉬的施用方法:包括生物炭基鉬質肥料(鉬-生物炭)、拌種劑和基施,以提高酸性土壤中鉬的生物利用率和菜心(Brassica parachinensis中國花椰菜)的氮同化。
一種研究單層二硫化鉬帶結構的新模型
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- 發佈於:2022-05-02, 週一 12:53
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近期,研究人員提出了一個分析帶計算(analytical band calculation, ABC)模型來研究單層二硫化鉬的帶結構。對於二維(2D)材料來說,一個半導體層的厚度約為一個原子層的厚度。2D材料因其在未來電晶體製造過程中的潛在應用而獲得關注。2020年國際器件和系統路線圖(International Roadmap for Devices and Systems, IRDS)預測,到2028年,2D材料將成為通道材料技術和CMOS二維器件應用的最佳選擇。
高平面度純鎢金屬薄板的製備方法
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- 發佈於:2022-04-25, 週一 19:06
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隨著科學技術的不斷發展,CT機對鎢合金准直器的平面度也要求越來越高,由原來的小于0.03提高至0.015以內,這無疑對純鎢薄材的製備提出了新的挑戰。據中鎢智造瞭解,傳統純鎢薄板的生産工藝存在以下幾個問題: