多層鎢制多頁光柵應用

多層多頁光柵可在放射治療系統中發出射線並對射線射出的方向進行精准的控制。多層鎢制多頁光柵由多片阻隔射線的鎢合金葉片組成,每片鎢合金葉片都緊密地相鄰。在雙層鎢多頁光柵中,鎢合金葉片被分列成兩層,上下兩層方向交叉排列,上層為縱向排列,下層則為橫向排列。每層鎢合金葉片被分為兩組葉片,兩組葉片相 向排列安裝於支架上,葉片可以在支架上移動,移動的方向與射線束軸線方向垂直,每個葉片都由步進電機獨立驅動,通過葉片的移動來控制射出射線的方向及範圍。由於在葉片之間為減少運動時的相互摩擦而留有適當的間隙,為減少放射線通過此間隙的洩露,還在兩組葉片的下麵各安裝一個可移動的擋板,通過擋板的適當 移動來遮擋洩露的放射線。

多層鎢制多頁光柵系統廣泛運用在放射醫療技術中,主要基於鎢合金對放射性物質的屏蔽效應。它用於放射醫療中控制X射線的方向和輻照範圍,同時通過改變柵片孔的角度,取得了可以快速放鬆和鎖緊多葉光柵的柵片,方便醫師的應用,還可以較好的消除穿射半影的形成、減少X線對降組織的輻照危害的效果。

多層鎢制多頁光柵

 

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鎢樹脂屏蔽件生產工藝

由於鎢樹脂材料的密度很高可達到11.4g/cc,與鉛的密度相近,其輻射屏蔽性能也強,再者鎢樹脂材料屬於無毒環保材料,可重複利用,其相對於其他金屬材料更具柔韌性,機加工性能更高,能被製造成不同形狀的部件,鎢樹脂是製造屏蔽件的首選材料。

鎢樹脂的製造技術是通過各種樹脂與鎢粉混合在一起的一種特殊的冶金技術。鎢樹脂中鎢的成分占60%重量卻占96%具有較大的密度,但是它並不是金屬材料。鎢樹脂常溫下表現為固體在受到外力作用下形狀會相應的改變,因為它硬度不大,表面顯出油光的狀態。鎢樹脂屏蔽件是採用壓制燒結工藝生產而成,和鎢合金材料不同的是材料配比中鎢的含量只有60%,黏結劑是採用高分子化合物,所以表現出來的形態也與傳統鎢製品完全不同。因為鎢樹脂的硬度不是很高所以表面處理沒有像鎢合金產品一樣光滑。當鎢樹脂運用在製造輻射屏蔽材料時,要求的精度以及表面光潔度都不會很高,但對輻射屏蔽的性能有較高的要求。

鎢樹脂屏蔽件

 

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仲鎢酸銨製備藍色氧化鎢

20世紀50年代,國內外鎢粉生產多以鎢酸和黃色氧化鎢為原料,到60-70年代,美國,法國,荷蘭,英國等國家先後普遍採用了藍色氧化鎢為原料取代鎢酸和黃色氧化鎢來生產鎢粉,我國在70-80年代就開始了藍鎢的研究。鎢粉性能的影響因素很多,但主要的不外乎鎢粉生產工藝和所用原料,如生產超細鎢粉宜選用氧含量較低的氧化鎢原料,生產較粗的鎢粉宜選用氧含量較高的氧化鎢原料。因此,研究低成本、高性能、低環境污染,高效安全的藍色氧化鎢制取工藝,引起了廣大鎢粉末科技工作者的高度關注。

以仲鎢酸銨為原料,在特殊的工藝技術條件下,不通氨,利用其原料自身帶有的氨,通過在一定的溫度條件下,氨裂解出氫,對仲鎢酸銨進行微還原,從而製備藍色氧化鎢。




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仲鎢酸銨製備藍色氧化鎢影響因素

仲鎢酸銨製備藍色氧化鎢的影響因素如下:

1.溫度對藍色氧化鎢結果的影響為:隨著溫度的升高,藍色氧化鎢的粒度無規律變化,但變化不大,證明藍色氧化鎢受溫度條件的影響不顯著。氧指數呈下降趨勢,殘氨呈下降趨勢。

2.給料速度主要控制還原時間,給料速度越快,還原時間越短。還原時間對藍色氧化鎢結果的影響為:隨著還原時間的延長,氧指數呈下降趨勢,殘氨呈下降趨勢。但是實驗溫度的影響遠大於還原時間的影響。這是因為仲鎢酸銨在高溫下裂解脫出結晶水和氨,變成黃色氧化鎢,黃鎢在較低溫度時,在氫氣氣氛下還原時,在很短的時間內,即可迅速變成藍色氧化鎢。

3.回轉爐轉速對氧化鎢結果的影響為:隨著回轉爐轉速的加快,藍色氧化鎢粒度分佈均勻。這是因為回轉爐轉速加快,物料與爐管接觸時間短,受熱均勻,排氣順暢,從而藍色氧化鎢之間的品質均勻,粒度分佈均勻性好。




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仲鎢酸銨晶體的生長反應歷程

仲鎢酸銨晶體生長歷程可由非基元反應和相變反應組成。

1.非基元反應:


與仲鎢酸根B(H2W12O4210-)相比,形成仲鎢酸根A(HW6O215-)是一個快速的過程,但是始終受到氨揮發的影響。而仲鎢酸根A到仲鎢酸根B即使在較高溫度下長時間陳化也不能完全轉變。

2.相變反應

首先,結晶介質以(NH4)10H2W12O42.4H2O和H2O等分子或離子形式向生長介面擴散。再是聚結在生長介面的結晶介質進入晶格座位發生表面反應。然後放出結晶熱並向外輸送。

仲鎢酸銨晶體的粒度很小,晶液的粘度也很小,擴散對相變反應的影響不大。當達到某一較小的極限攪拌轉速時,晶體生長速率不再與轉速有關。由於擴散速率很高,結晶過程可轉由表面反應控制。結晶熱一般較小,對過程的影響可以忽略不計。


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仲鎢酸銨結晶過程的動力學

結晶過程包括兩個階段:第一階段是微小晶核的形成,即晶核形成。第二階段是晶體的生成即晶核的長大階段。仲鎢酸銨晶體與一般的晶體生成過程一樣,需經歷晶核形成和晶核長大兩個階段的動力學過程。

晶核的形成速率公式如下:



其中,C為溶液過飽和濃度;C0為溶液溶解度;ΔC為溶液濃度差過飽和度;n為晶核形成動力學反應級數;K為晶核形成速度常數。

晶核長大速率公式如下:



其中V擴散為溶質擴散速度;d為擴散層厚度;S為晶體表面積;m為晶體長大動力學反應級數。

在仲鎢酸銨結晶的過程中,要控制鎢酸銨溶液濃度,以控制較低過飽和度,得到疏鬆,顆粒又很均勻的五個結晶水的仲鎢酸銨晶體。


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仲鎢酸銨結晶過程的熱力學

從溶液中生長晶體的最重要的平衡特徵是溶解度,與固相處與平衡狀態的溶液的濃度時飽和溶液濃度。飽和狀態是從溶液中生長晶體必須的先決條件,溶液的狀態如下圖所示,整個溫度-濃度圖可分為穩定區,介穩區和不穩定區三個區域,三個區域以介穩定區最為重要。因為從溶液中生長晶體都是在此區域中進行。介穩區雖然無法精確測量,但它是客觀存在的,其大小,趨向可以用過飽和度來估計。



晶體生長時一個複相化學反應,也是一個相變過程。當仲鎢酸銨固體物質在鎢酸銨溶液體系中達到飽和時,析出並處於平衡狀態。仲鎢酸銨是難溶物質,其溶解度僅為0.06-7.91%。實際濃度和飽和濃度績效,過飽和度比很大,即結晶驅動力很大。自發生產結晶的趨勢很強。且溫度對仲鎢酸銨溶解度影響不大。用蒸發排除一部分水使溶液得到過飽和狀態的蒸發法,或是用使溶質轉化為溶解度很小的物質而得到飽和的中和法,這兩種析出仲鎢酸銨晶體的方法都能實現。


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稀土摻雜鎢酸鈣多晶粉的製備及其上裝換性能研究的意義和背景3

稀土摻雜鎢酸鈣多晶粉的製備及其上裝換性能研究的意義和背景

上轉換發光強度與啟動離子和敏化離子的濃度有關,還與基質材料的種類有關。無機、有機和新型納米材料均可用作上轉換基質材料。玻璃、陶瓷、晶體等無機材料已經被廣泛應用于上轉換發光,現在發展迅速的納米晶材料也開始進行上轉換發光和鐳射研究。目前,隨著半導體二極體泵浦源和雷射技術的不斷發展,以及在藍綠鐳射在多個新型領域的驅動下,對上轉換材料的研究不斷深入,新型基質材料不斷出現。現在,上轉換鐳射已經覆蓋從中紫外到可見的各個波段,上轉換鐳射材料多數已經可以在室溫下進行操作,上轉換效率不斷提高。最重要的是現在上轉換鐳射已經在醫學等領域獲得了實際的應用。總之,上轉換鐳射領域的迅猛發展歸功於上轉換鐳射材料的不斷發展。在所有的上轉換基質材料中,應用最廣泛的是晶體材料。因此,獲得適合上轉換發光,有利於提高上轉換發光強度的晶體材料已經成為當今上轉換發光面臨的主要問題。


 

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稀土摻雜鎢酸鈣多晶粉的製備及其上裝換性能研究的意義和背景2

稀土摻雜鎢酸鈣多晶粉的製備及其上裝換性能研究的意義和背景

目前上轉換發光材料主要是以摻雜稀土元素為主,通過稀土離子的能級躍遷實現高能量光譜的發射。三價稀土離子很適合用來進行上轉換操作過程,常用于上轉換發光的稀土離子是Pr3+Nd3+Gd3+Ho3+Er3+Tm3+等。這些稀土離子的價電子構型為4fn,外層電子可以在不同軌道進行能級躍遷而產生波長範圍較寬的光。此外,這些稀土離子可以被激發到4fn態,且在此激發態壽命較長。這些激發態可以通過能級躍遷回到基態,同時發射可見或紫外上轉換螢光。Yb3+離子是一種高效的敏化離子,具有非常簡單的電子態,僅有兩個能級, 2F7/2基態能級和2F5/2激發態能級。由於在2F5/2能級是唯一的激發態能級,因此可以避免其他能級躍遷鐳射能量損耗。Yb3+離子由於只有兩個電子態,且吸收截面大,能量傳遞效率高,可以為啟動離子傳遞能量,敏化多種啟動離子。



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稀土摻雜鎢酸鈣多晶粉的製備及其上裝換性能研究的意義和背景1

稀土摻雜鎢酸鈣多晶粉的製備及其上裝換性能研究的意義和背景1

自從進入21世紀以來,人們對光科技的認識不斷深入,而鐳射作為光電領域的先進技術,越來越受到人們的關注。鐳射是指分子或原子吸收光子能量發生電子躍遷而輻射出特定波長的光,其發光效率高,顏色單一,具有方向性,因此受到廣泛應用。隨著雷射技術的發展,鐳射晶體已經成為使用最廣泛的一類物質。小型雷射器基於光轉換效率高、功能多樣化等優點,成為現如今研究的熱點。鐳射晶體作為介質材料在雷射器發展過程中具有深遠影響。 

鐳射晶體最早出現在20世紀60年代,美國休斯頓實驗室的Malman利用摻鉻的紅寶石晶體做發射鐳射的材料,以發射強度很高的脈衝氙燈泵浦發光,使紅寶石晶體受到激發產生能級躍遷,發射出可見光,至此世界上第一台雷射器誕生,即紅寶石雷射器。隨著第一台雷射器的問世,人們對不同材料的雷射器不斷探索。20世紀70年代以稀土摻雜石榴石為代表的固態雷射器迅速發展;80年代研究出超快超強的鈦寶石晶體;90年代初,上轉換材料受到重視,LD泵浦源壽命長、效率高,為上轉換材料提供了可靠的激發光源。上轉換是利用光學啟動中心(一般為稀土離子或過渡金屬離子)的電子能級(如近紅外)激發到高能電子能級產生高能發射(如可見或者近紫外)的過程。這個過程至少吸收兩個光子來提供上轉換發射的能量。上轉換鐳射對上轉換材料物理性能的要求較小,而且對泵浦源的要求不是十分苛刻。特別是上轉換鐳射可以用半導體鐳射二極體進行泵浦,這就使得上轉換可以用來實現簡單、廉價和可靠性高的緊湊鐳射系統。因此,上轉換發光材料已經成為這一領域研究的熱點。

 

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