MoO3摻雜氧化鎢薄膜

MoO3摻雜氧化鎢薄膜可以採用電子束蒸發法在超高真空電子束鍍膜機中製備得到，具體地，步驟如下：

蒸發源為摻有MoO3粉末（分析純）2.5%和5%（重量比）的氧化鎢（分析純）粉末，並壓制成直徑8mm的小圓柱。基片採用沉積有ITO導電膜的玻璃，方阻約60Ω。蒸發前真空度優於3×10-3Pa，蒸發時基片溫度約50℃，蒸發速率約2.5nm/min。蒸發所得的樣片再在箱式電爐中進行1h、350℃空氣退火。

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此外，專家們還通過變色實驗研究了MoO3摻雜量對氧化鎢薄膜電致變色特性的影響。變色實驗是在兩電極恒電壓電化學槽中進行，電解液為0.05M的H2SO4溶液，對電極用0.3mm厚的鉬片。摻雜氧化鎢薄膜的透射光譜用722型光柵分光光度計測量。薄膜厚度用TP-3型橢偏儀測量，測得膜厚約250nm。

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