鈦摻雜三氧化鎢薄膜

有專家採用金屬鎢與鎢鈦合金靶材，通過脈衝直流反應磁控濺射的方法製備得到鈦摻雜三氧化鎢薄膜。實驗結果如下：

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http://www.tungsten-powder.com/traditional/tungsten_oxide.html

Ti摻雜三氧化鎢薄膜基底溫度升至300℃開始由非晶態轉變為立方晶系；350℃製備的Ti摻雜WO3薄膜200次迴圈後調製幅度仍為62%，未發生衰減。隨著氧分壓增加，薄膜由欠氧單斜晶系轉變為立方晶系，透過率上升，沉積速率降低，薄膜緻密性增加；氧分壓對薄膜調製幅度影響較小；但是迴圈穩定性隨著氧分壓增加，先增大後減小；同時，隨著氧分壓增加，薄膜著色、褪色回應時間變短，薄膜變色速率增加。

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