Ti摻雜氧化鎢

Ti摻雜氧化鎢的多項性能均比純氧化鎢的好。具體地，有專家採用磁控濺射法製備Ti摻雜氧化鎢薄膜，測試結果表明：

Ti摻雜納米WO3薄膜的晶化程度降低，晶粒細化，晶格結構變疏鬆，從而其離子抽出和注入的通道大大增多，電回應速度提高，且迴圈使用壽命提高了４倍以上，但其可見光透射率與未摻雜的相比有所降低。

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專家表示，這是因為Ti的原子半徑與Ｗ的原子半徑相差不大，因而當採用Ti摻雜WO3時易發生置換反應，從而改變WO3晶格結構，使其晶體缺陷減少。向氧化鎢中摻雜Ti，可改變其電致變色性能，使其電回應速度加快，迴圈使用壽命延長。

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