鎢青銅(TB)型晶體材料，由於具有良好的光學效應、電學性能以及變晶相界等獨特性質。廣泛應用於鐳射倍頻、電光調製、光學資訊處理、超導、濕度感測器、固體燃料電池等技術領域。TB型晶體材料的分子設計，是在對其結構認識的基礎上，進行原予層次的設計、探索和合成該結構的目標晶體材料。近年來，此領域取得了不少新成果。成為該型晶體材料研究開發和性能改善的有效手段。

 

TB型晶體中四方鎢青銅(TTB)晶體較為多見(許多斜方TB結構是TTB結構的超結構)，應用廣泛。所以通常所說的TB型晶體主要是指TTB晶體。其結構沿C軸的投影如圖所示。B-O八面體共角頂聯接形成的五角形、四角形和三角形孔隙。分別稱為A1、A2和C位置。圖中粗實線劃出的是一個單位晶胞，其中：孔隙數目比倒為A1：A2：C=4：2：4，即共有10個A位置；另有10個B位置和30個O^2-。B位置根據對稱型的不同可分為2個B1位置(晶胞邊線中點)和8個B2位置(晶胞內部)。C軸平移週期為一個B-O八面體高度。結構中：A2與O^2-的配位數可為9、10、11、15，A2、C、B與O2-的配位效分別為12、9和6。

 

因此，TB結構的通式為(A1)₁(A 2)₂C₄(B1)₂(B2)₈O₃₀。當6個A1、A2位置未全部為陽離子充填且C位置全空時，稱為未充滿型結構；當6個A1、A2位置全部為陽離子充填而C位置全空時，稱為充滿型結構；當6個A1、A2位置與4個C位置均為陽離子充填時、稱為完全充滿型結構。