在相同工藝條件下，納米前驅體wO3陶瓷的介電常數要比微米基WO3陶瓷提高一個量級，而空氣氣氛燒結又可以將其介電常數提高一個量級。多晶WO3陶瓷與其它的壓敏電阻(ZnO，Ti02等)一樣，它的非線性電學性質也可以用肖特基勢壘模型來解釋。WO:晶粒由於氧缺位的存在，表現為n型半導體行為。

 

王豫等經過大量的實驗研究認為WO3的非線性電學特性的出現與其常溫下兩相共存有一定的關係，他們認為相共存會影響晶粒晶格的匹配，使晶粒具有不同的介電回應。在空氣氣氛下燒結的樣品為單斜和三斜兩相共存結構，具有非線性的伏安特性曲線，而氫氣氣氛燒結的樣品中只有單斜相結構，其伏安特性為線性，也在一定程度上證明瞭他們的猜想，常溫下的WO3陶瓷的相共存問題導致了其肖特基勢壘的產生，從而使WO3陶瓷具有了非線性伏安特性。

 

利用雙重摻雜的方法，用ZnO 和TiO2 摻雜WO3基陶瓷製成不同摩爾比例的樣品.根據X 射線衍射圖譜，利用Jade5 分析出每一種摻雜均又第二相的生成，且隨著摻雜濃度的不同第二相的物質會發生轉變。摩爾比例為0.5%和1.0%濃度的摻雜產生的第二相為Zn0.3 WO3 ，隨著摻雜量的加大，第二相的物質發生轉變，成為了Zn0.3 WO3 以及Zn0.06 WO3 共存相，到了5.0%（摩爾分數）第二相完全轉變成為了Zn0.06 WO3 。由掃描電鏡的SEM 圖像能夠晶粒大小看出先減小後增大。在300~1 000 K 的溫度範圍內測量摻雜陶瓷材料的熱電性質.通過實驗結果分析發現，電導率先減小再增大，2.0%（摩爾分數）摻雜的樣品電導率最差。樣品的塞貝克係數呈現負值，說明了摻雜並沒有改變WO3 基陶瓷作為n 型熱電材料的性質。塞貝克係數的絕對值是單調遞增，對於2.0%和5.0%（摩爾分數）的樣品的塞貝克係數來說，出現了低溫區和高溫區的差別。當摻雜濃度為0.5%（摩爾分數）時，功率因數最大，其值為0.052 μW/(m•K2 )。