不同溫度焙燒的AMT/SiO2催化劑的XRD譜見圖3可見，當焙燒溫度<=623K時，樣品的XRD譜上只有一個寬大的彌散峰，為無定形結構載體SiO2的衍射峰，表明催化劑表面上的鎢物種顆粒很小或以無定形的形式分散在載體表面。當焙燒溫度為773K時，樣品的譜圖中出現了對應於WO3晶相的衍射峰，表明較高的焙燒溫度處理可以使催化劑上的AMT分解為WO3。

 

不同溫度焙燒的AMT/SiO2催化劑的CO2-TPD譜如圖4（a）所示。由圖可見，所有樣品的譜圖上均在410K附近出現一個CO2的脫附峰，該峰隨著焙燒溫度的升高略向低溫方向移動，並且峰強度有所降低"這表明所有樣品上均有一定量的弱鹼中心存在，且隨著焙燒溫度的升高，催化劑表面上弱鹼中心的強度和數目都逐漸降低"此外，焙燒溫度為623和773K的樣品在542K左右有一個小的脫附峰，表明該樣品中還存在少量的中等強度的堿中心。

 

圖4（a）為樣品的NH3-TPD譜。由圖可見，所有樣品均在416K左右有NH3的脫附峰出現。隨著焙燒溫度的升高，峰強度略有降低，但脫附峰溫度基本保持不變"這表明不同溫度焙燒所製備的催化劑表面上均存在弱酸中心，且隨著焙燒溫度的升高弱酸中心的量有所降低。