鎢樹脂密度及衝擊性能關係是隨著密度的增加，鎢樹脂遮罩複合材料對衝擊強度依次降低，但密度較低時衝擊強度的降低幅度較緩。密度在8.8-11.0g/cm3時增加基本呈線性降低，這是由於隨著鎢金屬顆粒含量的增加，介面處的空隙也呈線性增加，而密度為11.8g/cm3的複合材料衝擊強度下降幅度較大，這是由於鎢粉含量過高，其他高分子物質已不能完全包裹鎢金屬顆粒，使得介面處的空隙大幅增加，因而衝擊強度急劇下降。綜合來看，密度11.0g/cm3複合材料衝擊強度下降幅度較小，在可接受的範圍之內。

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大耳猴球形鎢合金漁墜密度高，體積小，鎢含量可以達到97%，可用靜電噴塗的方法噴上顏色。按重量規格分有1g、1.5g、2g、3g、4g、5g、6g、7g、8g、10g、12g。但體積是同等重量下鉛漁墜的一半，所以在下沉到水底時動靜較小，不易嚇跑魚群，增加漁的上鉤率。鎢合金漁墜還有子彈型、水滴型、長條型等等。大耳猴球形鎢合金漁墜無毒環保，即使不小心掉入水中也不會向鉛漁墜一樣對水域造成污染。

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溶液 pH 對仲鎢酸銨晶體平均粒度與粒度分佈有影響。成核速率及結晶生長速率受 pH 值影響明顯 ,自生晶核後的 pH 控制在 8.0 ～ 7.8 範圍內 , 有利於減少自生晶核的數量及形成速率 , 量小的晶核能平穩地生長成大顆粒 ;並且較窄的 pH 範圍有利於制得均勻分佈的粗晶粒仲鎢酸銨 ,只有均勻分佈的粒子才會有Fsss和表觀密度呈線性相關。

往溶液中注入 10 %～ 20 %的稀鹽酸至 pH 為 6 .5 ～7 .5 ,則結晶顆粒松裝密度減小 , 晶型規則 , 尤其使制取細顆粒仲鎢酸銨更為方便 。 通過調整結晶母液的理想 pH值至6.0～ 8 .0 ,並加熱到 50 ℃以上 , 可得到高純度仲鎢酸銨晶體。

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用濃差推動力 Δc(Δc =c-c0)表示溶液的過飽和度 ,c 為溶液過飽和濃度(溶液主體濃度);c0為溶解度飽和濃度(平衡飽和濃度)。仲鎢酸銨晶體生長過程由非基元反應 、結晶介質擴散和介面反應等 3 個步驟組成 。某一時刻的瞬間過飽和度 Δc 由結晶過程過飽和生成(聚合反應)和消除(相變反應)的差值決定。

由於溶液中 P 、As、Mo 、Si 等雜質易吸附在晶體生長的活性點上 , 妨礙晶體生長 , 這也使得仲鎢酸銨晶粒變細 ,品質變差 ;同時 , 由於結晶料液中 Cl-、S2 -等陰離子雜質經過長時間的濃縮 ,富集在仲鎢酸銨晶體的表面 , 降低了晶粒的表面活性 , 因而難於結出顆粒均勻的粗顆粒產品。由於鎢酸銨溶液中存在的雜質 P 、As、SiO2、Na 、M g 、Ca 、F e 、M o 等在仲鎢酸銨結晶過程中的行為取決於它們與仲鎢酸鹽的相互作用特性以及所形成的化合物的溶解度 及雜多 酸型 可溶性 雜質 (NH4)3 PW1 2 O 40、(NH4)3 A sW 12 O 40、(NH4)3 SiW 12 O40, 在仲鎢酸鹽結晶過程中實際上完全留在母液中 ,品質濃度最高可達 1g/L以上 ,而在鹽中的品質分數不超過 0.005 %。P 、AS 、Si雜質會降低仲鎢酸鹽的結晶率 , 其他雜質的淨化效率 Mo>Na >M g >Ca >Fe , 並取決於原始溶液中的濃度。由於溶液雜質在蒸發結晶過程中易進入產品 , 影響產品品質 , 甚至導致產品不合格 , 所以在結晶過程中 , 採取控制結晶率 、提高 NH4 Cl在鎢酸銨溶液中的濃度 、攪拌洗滌及加試劑洗滌等方法 ,可達到除雜的目的。

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溫度是影響仲鎢酸銨晶體物性的重要因素 , 而且對晶核形成速率與長大速率影響不同 。當溶液過飽和度一定 ,結晶溫度低時 , 一般得到細小晶體 ;溫度高時得到較粗晶體 。仲鎢酸銨晶體生長速率常數與活化能的關係 ;採用“成核期積分平均速率法”, 運用阿累尼烏斯試驗定律 ,求出仲鎢酸銨晶體生長表觀活化能 E =94.657 kJ/ mo l ,仲鎢酸銨晶體生長速率常數與溫度的關係為 :K =8 .46 ×1014ex p(-94 657/ R T)。仲鎢酸銨晶體生長活化能(E生 =94 .657 kJ/mo1)小於成核活化能(E成 =181 .400 kJ/mo1),升高溫度 , 仲鎢酸銨成核速率的增長幅度大於晶體生長速率的增長幅度 , 晶體粒度變細 ,仲鎢酸銨晶體生長過程由化學反應步驟控制 。採用快速升溫 、中溫成核 、高溫長大的變溫結晶工藝制取了 Fsss 粒度 40 ～ 45 μm 的粗顆粒 , 研究了溶液 pH 、游離氨含量 、密度 、成核數量以及產品中細顆粒晶體的分佈規律 。結果表明 :仲鎢酸銨產品成核數量少 , 成核期短 , 晶體破碎 、二次成核和晶粒的附聚減少 ;粒度分佈主要特徵是小顆粒晶體(小於 80 μm)和大顆粒晶體(大於 125 μm)均減少 ,中間顆粒(80 ～ 125 μm)晶體增多。蒸發結晶時 , 溫度升高 , 分子運動速度加快 , 分子間相互碰撞的機會增多 ,有利於晶粒長大 , 對晶粒表面上平面晶粒生成速度影響很大。

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