二硫化鎢在鐳射飽和吸收器上的應用

研究人員發現,由於量子禁錮效應,二硫化鎢(WS2)可以通過控制化學成分和層數而轉化為帶隙為2.1 eV的直接半導體。此外,在近紅外和中紅外波段,WS2的飽和吸收特性優於石墨烯和碳納米管。由於這些優良特性,它正越來越多地被應用於鐳射飽和吸收器(SAs)。

二硫化鎢可飽和吸收器用於67 fs模式鎖定的摻鉺光纖雷射器圖片

(圖片來源:Liu et al./Optics Express

與傳統的雷射器(如固體雷射器、氣體雷射器和半導體雷射器)相比,光纖鐳射器具有固有的優勢,如光束品質好、環境穩定性高、光-光轉換效率高、耐久性好、散熱性能好等。光纖雷射器已被廣泛用於外科手術、非線性頻率轉換過程和光學紅外振盪器泵浦源。

2015年,Wu等人製備了少量的單層WS2分散體,然後將WS2納米片嵌入聚乙烯醇薄膜中作為SA用於光纖雷射器。他們同時實現了光纖雷射器的Q開關和模式鎖定。研究人員主要使用WS2來獲得高能量的Q開關光纖雷射器,因為它在用作SA時具有高損傷閾值和大調製深度。

例如,用WS2 SA在1.5微米波段獲得了一個脈衝能量為195 nJ的Q-開關脈衝。使用WS2 SA的最先進的光纖雷射器通過Q-開關和模式鎖定在1微米、1.5微米、2微米和2.865微米波段產生脈衝。特別是,Wei等提出在共摻雜光纖雷射器中使用WS2作為SA,用於2.865微米波段的無源Q開關。他們獲得了一個最大的輸出功率和脈衝能量分別為48.4毫瓦和0.42微焦,這比以前報導的基於WS2的其他波長的脈衝要高得多。此前提到的大多數WS2薄膜是通過物理沉積形成的。

帶有光纖錐的WS2 SA的被動鎖模EDF雷射器的配置圖片

(圖片來源:Liu et al./Optics Express

Yang等使用CVD製備WS2薄膜作為模鎖全光纖雷射器的鐳射飽和吸收器材料,並通過實驗表明,單層WS2是一種新型的SA,可用於實現微秒級的Q開關脈衝或納秒級的模鎖脈衝。到目前為止,WS2的飽和吸收特性已被廣泛研究,並被應用於光纖雷射器中。

文章來源:Ding J, Feng A, Li X等, 二硫化鎢的性能、製備和應用 - 綜述 [J]。應用物理學, 2021, 54(17): 173002.

 

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