由於二硫化鎢納米材料在能量轉換和存儲領域具有廣闊的應用前景，人們致力於研究和改善其WS₂的電子特性和HER機理，如載流子濃度（p）、遷移率（μ）和電阻率（ρ）。根據理論預測，在半導體TMDCs中，由於有效品質降低，WS₂具有最高的電子遷移率。

由於全球人口的快速增長和社會經濟的快速發展，能源和環境問題受到廣泛關注。作為一種過渡金屬二硫化物，二硫化鎢納米材料在能源轉換和儲存領域取得了重要的研究進展。鑒於這些材料的多功能性和豐富的微觀結構，二硫化鎢（WS2）納米材料的可塑性和可控合成廣受研究人員的關注。

相較於半導電體材料，二硫化鎢納米材料表現出更高的光吸收率，光催化特性是其另一個重要特性。對於半導體材料，光吸收特性是非常重要的，特別是對於光催化。當WS₂吸收光子時，會發生帶內、帶外和雜質缺陷之間的轉換，這可以形成特定的吸收光譜。塊狀WS₂的特徵吸收峰在910納米的波長附近，位於近紅外（NIR）區域。通過形成納米結構，可以發現WS₂特徵吸收峰的藍移（blue shift）。

一篇由Schutte等發表在Journal of Solid State Chemistry的文章闡述了二硫化鎢（WS₂）和二硒化鎢（WSe₂）具有與二硫化鉬（MoS₂）同種類型的層狀晶體結構。除了常見的WS₂的六邊形2H形式外，還有一種斜方體形式，即3R-WS₂，也曾被報導過，它與MoS₂的斜方體形式同型。