鋅極性的氧化鋅外延膜由藍寶石襯底的氮化控制生長

表面氮化用於消除氧-極性反向域和由RF-等離子輔助分子束外延控制單域的鋅極性的氧化鋅膜的生長在藍寶石襯底上。結果發現，在氮化溫度是實現質量氮化鋁緩沖層和氧化鋅薄膜與陽離子極性至關重要的，這表現在易地透射電子顯微鏡。在最佳生長條件下， 4×4的表面重建觀察到，這是確認，是鋅極性膜的特性的表面結構，並且可以被用作指紋以優化的氧化鋅生長。

被發現的1.2微米厚的氮化鎵薄膜的性能，以通過暴露在藍寶石基板與氨的氮化鎵生長開始前的時間被顯著影響。藍寶石的不同氮化方案強烈影響氮化鎵薄膜導致的降低的位錯密度為2 ×1010 〜4 ×108厘米2為較短的NH3預流倍的位錯結構。這些膜的室溫和低溫的電子傳輸特性是特別受位錯結構。一個300 K時電子遷移率高達592平方厘米/ V S ，得到很短的氨預流，而長氮化導致流動性下降到149平方厘米/ V S 。此外，光致發光品質惡化為具有長藍寶石氮化時間的樣品。


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