在藍寶石上排列的氧化鋅納米線陣列和GaN層的圖案增長

關於藍寶石和GaN外延層的微米和納米尺度垂直排列的氧化鋅納米線陣列的圖案化生長報告，為了控制氧化鋅納米線的位置和分佈密度，金種子納米點的定義，為規則排列，與沉積蔭罩的協助。電子顯微照片表明，該導線是具有絲軸沿六邊形的c-軸的單晶。在藍寶石和GaN薄膜在Si襯底上的ZnO納米線的外延生長由橫截面電子顯微鏡研究進一步驗證。相比於藍寶石的情況下，在Si襯底上的GaN膜的完美外延生長被認為是更適合於氧化鋅納米線陣列的電勢的電子裝置的應用程式。

射頻爐設備和控制設備，適合用於生長單晶的耐火氧化物，如氧化鋁，通過Czochralski技術進行說明，並用此設備生長的藍寶石球剁例子示。氧化釷採用在整個爐。氧化釷有較低的熱容量和較高的電阻率在該工作溫度比任何其他難熔氧化物。這使銥坩堝基座在溫度接近其熔點時使用。


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