對藍寶石襯底生長由低壓有機金屬氣相外延氮化鎵成核層的替代顯微

主要是六方晶系氮化鎵成核層通過低壓有機金屬氣相外延生長在藍寶石襯底上。氮化鎵關於正常藍寶石基板的單個晶粒的傾斜角度被確定為在從0°到5 °的範圍內通過選擇區域電子衍射。觀察到氮化鎵構成的立方相的一小部分被選擇性地分布在晶界區和瞬時表面狀態是建議在閃鋅礦相的成核中發揮重要作用。由六方引起的從離子束輻射沉重的氮化鎵立方相轉變也注意到了。臨界溫度建議在形成主要是立方或六方氮化鎵成核層存在。

在藍寶石上外延橫向雜草叢生的氮化鎵被用來減少螺旋位錯從氮化鎵外延層與藍寶石襯底的界面始發的數量。在氮化鎵層周圍的窗口，對應的橫向過度生長的氧化矽掩模區以上，幾乎是自由的穿透位錯。中觀察到的氮化鎵的附近窗口中的區域生長的穿透位錯的密度高。的InGaN多量子阱結構的激光二極管（LD ）生長在純淨的氮化鎵襯底，這是由去除藍寶石襯底制作，進行了論證。用5毫瓦的輸出功率的LD展出超過290小時的壽命和10,000小時的壽命估計盡管有比較大的閾值電流密度。具有切割面鏡子這些LD的遠場圖形顯示單模發射無任何幹擾效應。


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