隨著工業技術和科學技術的發展，許多行業對鎢粉的純度要求越來越高，如高純鎢或超純鎢(5N或6N)具有對電子遷移的高電阻、高溫穩定性以及能形成穩定的矽化物，在電子工業中以薄膜形式用作柵極、連接和障礙金屬。

 

 

日本山口悟等人報導，東芝公司鎢精煉廠橫濱金屬和化合物分廠在1990年前後，為了提高產品品質，試圖降低金屬鎢和鉬中的雜質含量。特別是對用作半導體的配線用材，要求將鎢粉和鉬粉的純度從通常的3N提高到5N以上。該廠採用了用酸分解通常的鎢粉和鉬粉，然後通過離子交換法精製，得到高純度的氧化物。將高純氧化物進氫還原，即可得到超高純度的鎢粉和鉬粉。其生產流程如附圖所示，超高純鎢粉和鉬粉的化學成分與普通鎢粉和鉬粉的比較見表1。

 

文獻著者未對酸分解和離子交換的情況作具體介紹。估計他們在酸分解鎢粉和鉬粉時，採用了雙氧水、HNO₃+HF或HF+H₂SO₄+HNO₃之類能溶解鎢粉和鉬粉的酸類，使鎢和鉬以陰離子形態進入溶液中，然後再用陰離子交換樹脂進行淨化。

 

從1988年以來，用作濺射靶材的鎢純度在不斷提高。用物理氣相沉積法(PVD)生產的鎢薄膜和濺射靶材，純度為6N，已用於工業生產。

 

為製備高純和超純鎢，最好選用含U和Th低的仲鎢酸銨作原料。因為在所有的雜質元素中，要求U和Th的含量應特別低。這些天然放射性元素因具有a射線，在記憶回路中可引起“軟誤差”。

 

含U和Th低的仲鎢酸銨，可通過多次再結晶的辦法除去其他雜質，得到超純仲鎢酸銨。後者經煆燒得到WO3，經氫還原得到超高純度的鎢粉。文獻給出了超純W和WSix粉末的分析資料(見表2)。這種W粉可用來生產W、WSix或TiW的濺射靶材。

 

通過壓形、燒結和電子束懸浮區域熔煉，可以進一步將U和Th以外的雜質含量進一步降低。

 

顯然，在高純的生產過程中，廠房內應保持高度清潔，以減少產品中的雜質。