目前研究較為廣泛的鎢青銅結構鈮酸鹽為鈮酸鍶鋇(Sr_xBa_1-xNb₂O₆，SBN)晶體。SBN晶體在0.25≤x≤0.75時是具有四方鎢青銅結構的固熔體，空間群為P4bm，點群為4mm。SBN單個晶胞中有10個NbO₆八面體，僅有5個堿土離子填充10個空隙，其中Sr²⁺和Ba²⁺離子部分佔據A1和A2位，C位是空位，為非充滿型鎢青銅結構。生長較多的SBN單晶一般為 SBN:61(x=0.61)或SBN:60，這種組成晶體相對較易生長，且容易獲得高質量、大尺寸的晶體。另外，SBN晶體的居裏點隨著x的增加而降低，從SBN:25的200℃降到SBN:75的60℃。

 

生長SBN最常用的方法為提拉法，使用該方法可生長出尺寸較大的SBN晶體材料。SBN:61晶體的熔點約為1510℃，一般採用矽鋁棒電阻加熱或中頻加熱的晶體生長設備進行生長，生長容器為Pt坩堝。另外利用自動等徑技術可以保持固-液介面的平坦，這有助於獲得大尺寸高質量的晶體。2001年Kubota等人在提拉法基礎上，使用坩堝基冷卻法生長出了較大尺寸的SBN:61晶體。1968年Lee報導了用坩堝下降法生長SBN晶體，該方法可以保證等徑，並可消除晶體的生長條紋，雖然生長出來的晶體熱應力較大，但可經過退火減少生長晶體的部分熱應力。另外，摻雜的SBN晶體的生長與未摻雜的SBN晶體的生長方法一致，但由於摻雜更易引起晶體的開裂和生長條紋的出現，在生長過程中要注意工藝參數的調整(提拉速率低)。SBN晶體的有效電光係數較大，是一種良好的電光晶體，另外它具有相當大的熱釋電係數，已經被製成了紅外探測元件。但由於常用的SBN的居裏點比較低，這就大大限制了其在較高溫度範圍內更為廣泛的應用。SBN晶體的基本物理參數如下: