鉬：降低三星NAND快閃記憶體層高和回應時間

在半導體技術的浩瀚星空中，每一次微小的進步都可能引發行業內的巨大變革。據瞭解，三星公司在其第9代V-NAND技術上進行突破性嘗試——引入鉬（Mo）作為金屬佈線材料。這一創新不僅預示著NAND快閃記憶體層高有望實現30%至40%的進一步縮減，更將顯著降低回應時間。

在半導體製造這一精密而複雜的領域中，金屬佈線猶如電路中的血脈，將數十億個電子元器件緊密相連，賦予半導體產品以生命。無論是CPU、GPU還是其他各類晶片，金屬佈線都是實現其功能的關鍵環節。因此，尋找更加高效、穩定的金屬佈線材料，一直是半導體行業不斷探索的課題。

六氟化鎢（WF6）目前是半導體金屬佈線的重要材料之一。據中鎢線上瞭解，六氟化鎢是一種無色無味的氣體或淺黃色液體，它經過化學氣相沉積工藝後能形成金屬鎢，再將金屬鎢製成二矽化鎢（WSi2），以作為半導體的配線材料。

為了提高半導體的性能，三星此次選擇鉬材料作為金屬佈線的革新嘗試，無疑是一次大膽的探索。鉬的高熔點、高密度、良好導電導熱性和化學穩定性，使其成為提升NAND快閃記憶體性能的理想選擇，允許在NAND中堆疊更多層。然而，鉬材料的引入比較困難，它要求生產設備能夠進行耐高溫處理，將固態鉬原材料加熱至600℃以上，並轉化為氣態，這與金屬佈線廣泛使用的六氟化鎢處理方式截然不同。

據消息人士稱，三星已從Lam Research公司引入了首批5台Mo沉積機，並規劃在明年再增購20台，以加速其鉬基NAND的生產佈局。

供應鏈方面，三星正與多家領先供應商緊密合作，包括英特格（Entegris）和Air Liquide，以確保穩定的鉬源供應。同時，默克等公司也積極回應，向三星提供了鉬材料的樣品，展示了行業對新技術路徑的廣泛支援與期待。

此外，SK海力士、美光和 鎧俠等公司也紛紛跟進，探索在NAND生產中採用鉬材料的可行性，共同推動半導體材料的革新進程。

據悉，今年5月，三星已經啟動了首批第九代V-NAND快閃記憶體量產，位元密度比第八代V-NAND提高了約50%。第九代V-NAND配備了下一代NAND快閃記憶體介面“Toggle 5.1”，可將資料登錄 / 輸出速度提高 33%，最高可達每秒 3.2 十億位元（Gbps）。除了這個新介面，三星還計畫通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態硬碟市場的地位。

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