高純鎢靶材除了良好的導電導熱性和較高的電子發射係數，是其作為積體電路佈線的主要原因之外，優異的化學穩定性和較小的體積膨脹係數，也是鎢靶材有望代替傳統佈線材料而成為未來主流佈線材料的原因。不過，鎢靶材相對傳統靶材材料來說價格也可能更高。

就下一代的晶片來說，其內部擴散阻擋層之所以用稀有金屬鎢靶材來生產的主要原因是，相對于傳統的靶材而言鎢靶材具有更優異的物理性能，如較高的熔點，較強的抗高溫能力，較大的電子發射係數以及良好的化學穩定性等。換句話來說，用鎢靶材製作的擴散阻擋層能使所製備的積體電路晶片擁有更長的使用壽命，進而減小用戶更換新產品的概率。

據儲能科學家介紹，鎢靶材因有雜質含量低、熔化溫度高、結晶性好、高溫穩定性能強以及電子逸出功小的特點，而有望成為新一代積體電路柵電極的最佳生產原料。與以前的柵電極如SiO2相比，鎢靶材柵電極擁有更不容易出現漏電流的情況，進而能使最終所製備的積體電路的可靠度更高。

高純鎢靶材是典型過渡金屬鎢的一種化工產品，其因純度高（大於99.95%），密度大（19.35g/cm3），蒸氣壓低，蒸發速度小，耐高溫性能好等特點，常用來生產厚度超小的氧化鎢薄膜。就目前火熱的半導體晶片來說，新型氧化鎢薄膜能很好的作為它的擴散阻擋層、粘結層和大型積體電路記憶體電極等，進而能顯著升高晶片產品的綜合品質。