二硫化鎢納米材料常見形式：納米片

納米片是二硫化鎢納米材料最常見的形式，主要的可控合成策略可以分為兩類：自上而下和自下而上法。自上而下法可以以較低的成本生產少量或單層的樣品，這對基礎研究非常有利。在自上而下法中，通過Scotch膠帶進行機械剝離是最簡單的方法，通過Scotch膠帶剝離的WS₂只有幾層或單層。

然而，大規模生產具有極大的挑戰性，產量也非常有限。此外，WS₂可以在液相中剝離，這需要超聲波或離子插層的輔助：超聲處理通常會導致具有幾百納米大尺寸的晶體片。因此，一個更可行的方法是使用離子插層到WS₂原子層中來分離片狀物。

對於上述產量和尺寸的限制，報導了幾種自下而上策略的技術，從WS₂的成分元素中盯住，在一個給定的基底上可控地製造納米片。大多數建議的工藝是利用蒸氣形式的前體，並通超載氣在基底上傳輸選定的物種。

化學氣相沉積（CVD）是一種廣泛用於製備WS2納米片的技術，它一般使用WO₃作為W源，使用S粉或H2S作為S源。例如，Hu等人通過傳統的低壓CVD方法在SiO2/Si襯底上製備WS2，並提出了相應的生長機制。

此外，原子層沉積（ALD）是一種改良的CVD技術，其中兩種前驅體在生長室中分別設置，其主要優點是通過改變ALD的迴圈次數來實現WS2的厚度可控。ALD仍然沒有廣泛地應用於製造WS2納米片，主要是由於缺乏合適的ALD化學反應。

由於平面納米S-W-S片的不穩定性，在層的邊緣有大量的懸空鍵，通過特定的製備方法形成了IF-WS₂和NT-WS₂等封閉結構。生產IF-WS₂納米顆粒和NT-WS₂的製備方法大致分為兩組：（1）遠離平衡的過程，如電弧放電、電子束輻照和鐳射燒蝕；（2）接近平衡的化學方法，如化學氣固反應。

文章來源：Sun, CB., Zhong, YW., Fu, WJ. et al. 二硫化鎢納米材料用於能源轉換和儲存。Tungsten 2，109-133（2020）。

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